[发明专利]一种GaAs半导体表面欧姆接触电极及其制作方法

权利要求书

1.一种GaAs半导体表面欧姆接触电极的制作方法，其特征在于，具体包括以下步骤：首先在GaAs半导体表面做接触电极，在石英衬底上依次生成Cu层和Au层，将石英衬底上的Au层与GaAs上接触电极的接触层通过退火粘合封装在一起，然后抛光去除石英衬底，即可得到GaAs欧姆接触电极；

将GaAs衬底上端通过光刻技术进行光刻胶制作，然后通过磁控溅射依次溅射镀Mo层、W层和Ti层，然后进行真空蒸发镀Au层，将制作好金属电极的GaAs光导开关用丙酮超声清洗，除去内圆部分溅射的金属即可得到GaAs欧姆接触电极，再用去离子水清洗，通过氮气吹干，通过在氩气氛围中高温退火，以实现欧姆接触；

磁控溅射过程中在Ar气氛围下进行，功率为20-180W，溅射气压为1.1-1.3Pa。

2.根据权利要求1所述的一种GaAs半导体表面欧姆接触电极的制作方法，其特征在于，在GaAs衬底上端通过光刻技术进行光刻胶制作前，首先对GaAs衬底做抛光处理，去除GaAs衬底表面的氧化物，首先将SiC衬底依次通过丙酮、酒精、去离子水各超声清洗5-10min，然后用浓H₂SO₄浸泡5-10min，再依次通过丙酮、酒精和去离子水各超声清洗5-10min，然后通过氮气吹干。

3.根据权利要求2所述的一种GaAs半导体表面欧姆接触电极的制作方法，其特征在于，将抛光后的GaAs衬底安装在甩胶机上，在抛光后的GaAs衬底表面滴入光刻胶，然后通过甩胶机匀速转动即得到均匀的、没有缺陷的光刻胶膜；采用光刻胶为正性光刻胶SUN-110P；甩胶机转速为2000转/min-3000转/min；将得到光刻胶膜的GaAs衬底进行前烘：将样品置于90-110℃的加热台上，烘烤85-95s；用波长为360-370nm的紫外光曝光175-185s，结束后取下样品，将曝光后的GaAs衬底置于正胶显影液不少于55s，用去离子水冲洗不少于30s，除掉显影液残留，再用氮气吹干即可得到光刻后带有电极图像的GaAs衬底。

4.根据权利要求1所述的一种GaAs半导体表面欧姆接触电极的制作方法，其特征在于，真空蒸发镀膜蒸镀Au层，真空度为5×10^-4Pa。

5.根据权利要求1所述的一种GaAs半导体表面欧姆接触电极的制作方法，其特征在于，首先在石英衬底上通过磁控溅射生成铜层，在铜层上通过亚硫酸盐镀金法电镀Au层，Au层厚度为3um。

6.根据权利要求1所述的一种GaAs半导体表面欧姆接触电极的制作方法，其特征在于，将GaAs接触电极的接触层和石英衬底上的Au层接触，在氩气氛围中，650-800℃高温退火1-2min，使其二者粘合封装在一起，即可完成GaAs欧姆接触电极。

7.一种基于权利要求1制作方法制备的GaAs半导体表面欧姆接触电极，其特征在于，GaAs上依次为Mo层、W层、Ti层、Au层和Cu层。

8.根据权利要求7所述的GaAs半导体表面欧姆接触电极，其特征在于，其中Mo层厚度为20nm；W层厚度为40nm；Ti层厚度为；Au层厚度为3.1um；Cu层厚度为100-200nm。