[发明专利]一种硅基激光器及其制造方法、光模块有效
| 申请号： | 201710547808.5 | 申请日： | 2017-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN107221836B | 公开（公告）日： | 2020-02-28 |
| 发明（设计）人： | 隋少帅 | 申请（专利权）人： | 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/04 | 分类号： | H01S5/04;H01S5/10 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 266555 山东省青*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 激光器 及其 制造 方法 模块 | ||
【权利要求书】：
1.一种制造硅基激光器的方法，其特征在于，包括：
在绝缘衬底上的硅的顶部的硅层上形成二氧化硅层；
对所述二氧化硅层进行刻蚀将硅微型谐振腔、硅波导以及硅反射镜的图形转移到所述二氧化硅层上；
以所述二氧化硅层为掩膜层对所述绝缘衬底上的硅顶部的硅层刻蚀第一厚度；所述第一厚度为形成所述硅反射镜的布拉格光栅的深度；
在所述硅反射镜对应的位置处涂覆光刻胶形成保护层；
以所述二氧化硅层和所述保护层为掩膜层对所述绝缘衬底上的硅顶部的硅层刻蚀第二厚度；所述第二厚度为所述绝缘衬底上的硅顶部硅层的厚度与所述第一厚度的差；
去除所述二氧化硅层和所述保护层；
在所述硅波导上键合用于向所述硅波导提供光的光芯片。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述硅波导上键合用于向所述硅波导提供光的光芯片，包括：
在所述硅波导上制作键合层；
连接三五族直接带隙半导体增益芯片的接触层与所述键合层；
去除所述三五族直接带隙半导体增益芯片的衬底露出所述三五族直接带隙半导体增益芯片的欧姆接触层；
将所述三五族直接带隙半导体增益芯片的N型电极区域刻蚀至接触层；
在所述欧姆接触层上制作P型电极接触层以及在所述接触层上制作N型电极接触层。
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