[发明专利]一种可用于去毛刺的去胶剂、其制备方法和应用

说明书

本发明公开了一种可用于去毛刺的去胶剂、其制备方法和应用。本发明的去胶剂的制备方法，其包括下列步骤：其包括下列步骤：将下述去胶剂的原料混合，即可；所述的原料包括下列质量分数的组分：20％‑70％的溶剂、10％‑50％有机胺、0.01％‑50％还原剂、0.01％‑5％无机碱、0.01％‑10％表面活性剂和水，各组分质量分数之和为100％；所述去胶剂的pH值为7.5‑13.5。本发明的制备方法制得的去胶剂寿命长，可在3个月内循环重复使用；可单独去除tape胶或溢料，或者同时去除tape胶和溢料，并减少后续电镀工艺的锡毛刺的产生；对塑封体和基材无损伤。

技术领域

本发明涉及一种可用于去毛刺的去胶剂、其制备方法和应用。

背景技术

半导体在封装的过程中，塑封体和引脚上会残留各种胶状物质，如tape胶(胶带的胶膜，或称为胶带胶膜，成分一般为硅烷类树脂)或溢料(又称毛刺或飞边，成分一般为环氧塑封料)等，需要清除。否则会导致封装工艺中的框架变形、漏镀、镀层缺陷而影响产品的可靠性，造成产品断路、虚焊等问题，影响管脚的电气导通性能，严重的会导致返工及芯片功能失效甚至报废，这带来了封装工艺的繁杂及成本的上升。因此，去tape胶(detape)和去溢料(deflash或debur)是半导体集成电路封装后处理的重要工艺步骤，尤其是“倒装QFN”(FCQFN)的封装工艺中需要用到。

目前去tape胶(detape)或去溢料(deflash或debur)的方法有高压水喷射去胶、高压水喷砂去胶、激光去胶、化学药水去胶及电化学方法去胶等。其中高压水喷射去胶、高压水喷砂去胶、激光去胶和电化学方法去胶，成本较高且方法剧烈，化学药水去胶由于其低成本及条件温和，逐渐成为主流方法。

化学药水去胶也存在效果不佳的问题，如药水寿命短、药水去除力不够、药水对塑封体和基材有损伤、药水无法一步法去除tape胶和溢料(即只能够单独去除tape或溢料，而不能同时去除tape胶和溢料)等问题。

CN102864458A中公开了一种环保型弱酸性去毛刺软化液，其组分和百分比为：二甲基乙酰胺30-50％、二甲基亚砜30％-50％、糠醛0.5％-1％、OP-10表面活性剂0.5-1％、其余为水。该软化液存在寿命短的缺陷，寿命在一周左右(见[0022]段)，且该软化液仅是用于去毛刺(溢料)。

CN102808190A中公开了一种环保型弱碱性低温去毛刺软化液，其各组分和质量百分比为：四氢呋喃10-35％、丙二醇10％-35％、烷基酚聚氧乙醚烯1-5％、乙醇胺5-20％、N-甲基二乙醇胺1-10％、其余为水。该软化液仅是用于去毛刺(溢料)。

CN1935939A中公开了一种集成电路封装后处理用去毛刺溶液，采用下列配方：乙二醇苯醚35％、二乙二醇二丁醚20％、己内酰胺15％、甘油10％和异氟尔酮20％。该去毛刺溶液仅是用于去毛刺(溢料)。

CN103128892A中公开了一种去溢料的溶液，包含质量百分数为10-60％的1,3-二甲基-2-咪唑烷酮、10-30％的乙醇胺、10-60％的六甲基磷酰三胺、0-10％的去离子水。该去溢料的溶液仅是用于去溢料。

CN102270587B中公开了一种塑封晶体管溢料软化液，包含酰胺化合物、烷基醚、NH₄F、碱性调整剂、水。该软化液仅是用于去毛刺(溢料)。

因此，本领域迫切需要开发一种集成电路封装后处理用去tape胶和/或去溢料的方法，来解决这些问题。

发明内容