[发明专利]调整CMP后晶圆膜厚均匀性的方法有效
| 申请号： | 201710548155.2 | 申请日： | 2017-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN107243826B | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | 陈蕊;金军;王浩;曹阳;沈攀;路新春 | 申请（专利权）人： | 天津华海清科机电科技有限公司;清华大学 |
| 主分类号： | B24B37/005 | 分类号： | B24B37/005;B24B49/04 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 黄德海 |
| 地址： | 300350 天津市津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶圆 测量点 膜厚均匀性 统计图 抛光压力 膜厚 化学机械抛光 厚度均匀性 分析统计 晶圆表面 抛光晶圆 曲线轮廓 原点 圆心 排布 制程 测量 绘制 观察 | ||
1.一种调整CMP后晶圆膜厚均匀性的方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一待抛光晶圆；
对所述晶圆进行CMP制程；
对此晶圆在量测仪器上进行膜厚测量，测量方式为：在所述晶圆上取多个测量点，多个所述测量点在所述晶圆上阵列排布；
测量每个所述测量点处所述晶圆的膜厚值；
在所述晶圆上以所述晶圆的圆心为原点建立坐标系，其中每个所述测量点在所述坐标系内的横坐标为X，纵坐标为Y；
绘制统计图，每个所述测量点在所述统计图中的纵坐标为对应测量点的膜厚值，每个所述测量点在所述统计图中的横坐标为
观察分析所述统计图并根据图表显示的曲线轮廓，调整对所述晶圆的各区的抛光压力。
2.根据权利要求1所述的调整CMP后晶圆膜厚均匀性的方法，其特征在于，所述晶圆为硅晶圆、氧化硅晶圆、铜晶圆或钽晶圆。
3.根据权利要求2所述的调整CMP后晶圆膜厚均匀性的方法，其特征在于，所述晶圆为一氧化硅晶圆。
4.根据权利要求1所述的调整CMP后晶圆膜厚均匀性的方法，其特征在于，所述测量点距离所述晶圆外边沿的距离大于等于3毫米。
5.根据权利要求1所述的调整CMP后晶圆膜厚均匀性的方法，其特征在于，所述晶圆的直径为50毫米到300毫米之间。
6.根据权利要求5所述的调整CMP后晶圆膜厚均匀性的方法，其特征在于，所述测量点为70个到90个之间。
7.根据权利要求1所述的调整CMP后晶圆膜厚均匀性的方法，其特征在于，相邻两个所述测量点之间的距离相等。
8.根据权利要求1所述的调整CMP后晶圆膜厚均匀性的方法，其特征在于，每行所述测量点均平行于所述坐标系的横轴，每列所述测量点均平行于所述坐标系的纵轴。
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