[发明专利]一种定向生长的二氧化钛纳米簇阵列的制备方法有效
申请号: | 201710549005.3 | 申请日: | 2017-07-07 |
公开(公告)号: | CN107140686B | 公开(公告)日: | 2021-09-28 |
发明(设计)人: | 王作斌;宁晓辉;丁然;孟庆玲;韩永路;周东阳;李理;曹亮;翁占坤;董莉彤;宋正勋 | 申请(专利权)人: | 长春理工大学 |
主分类号: | C01G23/053 | 分类号: | C01G23/053 |
代理公司: | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人: | 杨学明;顾炜 |
地址: | 130022 *** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 定向 生长 氧化 纳米 阵列 制备 方法 | ||
1.一种定向生长的二氧化钛纳米簇阵列的制备方法,其特征在于制备方法包括以下步骤:
(1)将表面积为1-4cm2的FTO导电基底依次置于丙酮、无水乙醇、去离子水中超声清洗,每次100-150s,取出后在室温下干燥;
(2)利用双光束或多光束激光干涉光路系统,对清洗过的FTO导电基底进行激光干涉辐照刻蚀,完成FTO导电基底表面的预图案化处理FTO导电基底表面的预图案化的周期是5-10μm;
(3)将去离子水加入10-30mL98.0%的浓硫酸H2SO4或98%冰醋酸中,去离子水与98.0%的浓硫酸H2SO4或98%冰醋酸的体积比按1:1混合,混合溶液搅拌5-10min,之后加入500-700μL四氯化钛(TiCl4)或钛酸四丁酯(TBT)中,混合溶液和四氯化钛(TiCl4)或钛酸四丁酯(TBT)的体积比为20~60:1,混合溶液再次搅拌5-10min,将混合溶液倒入水热反应釜中,将预图案化处理的FTO导电基底以30-60o的角度斜靠在水热反应釜内衬上,拧紧水热反应釜,放在恒温干燥箱中,设定加热温度为120-170℃ ,加热时间为4-8h,待加热完毕后,关闭恒温干燥箱电源,在室温下冷却水热反应釜10-15min后,取出生长有二氧化钛纳米簇阵列的FTO导电基底,在室温下干燥,从而得到二氧化钛纳米簇阵列;
所述步骤(3)水热法制备过程中,通过恒温干燥箱加热温度和时间控制二氧化钛纳米线的长度和直径,恒温干燥箱加热温度为120-170℃ ,加热时间为4-8h。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:所述步骤(3)水热法制备过程中,制备所得的二氧化钛纳米簇阵列中的二氧化钛纳米线直径为100-300nm,长度为1-6μm。
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