[发明专利]单面POLO电池及其制备方法

权利要求书

1.一种单面POLO电池，其特征在于：包括硅片基底(1)，所述硅片基底(1)的正面采用PERC太阳能电池制备方法从内到外依次形成钝化层以及减反射层，硅片基底(1)背面由内向外依次设置有SiOx隧穿氧化层(2)、多晶硅层(3)以及ITO导电薄膜层(4)。

2.一种单面POLO电池的制备方法，包括对硅片依次进行清洗、扩散、洗磷、硅片正面背钝化、硅片正面镀膜、硅片背面钝化、镀导电膜层以及真空蒸镀，其特征在于：所述硅片背面钝化工艺中采用氧化硅加多晶硅进行钝化形成非接触式全钝化层。

3.如权利要求1所述的单面POLO电池的制备方法，其特征在于：所述硅片背面钝化的具体包括：

利用湿法化学或湿氧法或紫外法在硅片的背面先制备SiOx隧穿氧化层，再利用PECVD或LPCVD在硅片的背面的SiOx隧穿氧化层上制备多晶硅层，最终制备得到由氧化硅加多晶硅形成的非接触式全钝化层。

4.如权利要求1所述的单面POLO电池的制备方法，其特征在于：具体步骤包括：

清洗，将硅片在HF/HNO₃混合溶液中清洗，去除表面损伤层、切割线痕以及金属离子等；

扩散，将硅片进行常压扩散或低压扩散或离子注入，其方阻控制在50Ω～180Ω范围内；

洗磷，利用HF/HNO3和KOH进行清洗，除去表面的PSG和进行背面抛光；

正面钝化，利用PECVD或ALD在硅片正面沉积AlOx层，进行正面钝化，其膜厚控制在1～30nm；

正面镀膜，为减少正面反射，增加载流子寿命，提高电流，并保护AlOx层，利用管式PECVD进行在硅片正面镀减反射膜，其膜厚控制在50nm～120nm之间；

背面钝化，利用湿法化学或湿氧法或紫外法进行在硅片背面生长SiOx隧穿氧化层，其膜厚控制在1～10nm，随后对其进行退火，

背面镀膜，再利用PECVD或LPCVD在硅片的背面制备多晶硅层，其膜厚控制在1～20nm；

真空蒸镀，利用PVD进行镀膜或真空蒸镀，完成制作背面太阳能电池片电极；

丝网印刷，将完成背电极的电池片进行丝网印刷烧结，丝印出正电极即可。