[发明专利]一种柔性硅基薄膜太阳能电池及其制备在审
申请号: | 201710549410.5 | 申请日: | 2017-07-07 |
公开(公告)号: | CN109216476A | 公开(公告)日: | 2019-01-15 |
发明(设计)人: | 刘生忠;张豆豆;王辉;曹越先;秦炜 | 申请(专利权)人: | 中国科学院大连化学物理研究所 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
代理公司: | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人: | 马驰 |
地址: | 116023 辽宁省*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制备 掺杂层 沉积 硅基薄膜太阳能电池 薄膜太阳能电池 太阳能电池技术 烘箱 掺铝氧化锌 导电金属膜 传统电池 导电液体 导电油墨 硅薄膜层 内建电场 喷枪喷涂 有机试剂 本征层 本征型 导电膜 硅薄膜 电极 衬底 银膜 蒸发 | ||
1.一种柔性硅基薄膜太阳能电池,其特征在于:
其为采用柔性衬底(Ag/AZO/n/i/p/导电油墨)的硅基薄膜太阳能电池的结构,从下至上依次包括:衬底(1)、高温银层(2)、掺锌氧化铝层(3)、n型硅薄膜掺杂层(4),本征硅薄膜层i(5)、p型硅薄膜掺杂层(6)、导电金属浆喷涂制备的电极层(7)。
2.按照权利要求1所述的电池,其特征在于:
(2)高温银层厚度在200~300纳米,(3)掺铝氧化锌厚度在50~100nm,(4)n型硅薄膜掺杂层50~70nm,(5)本征硅薄膜层厚度在200~300nm,(6)p型硅薄膜掺杂层在20~40nm,(7)导电金属浆喷涂制备的电极层40~50nm。
3.按照权利要求1所述的电池,其特征在于:
硅基柔性薄膜太阳能电池中的衬底包括但不仅限于片状不锈钢衬底或高分子膜衬底等柔性薄膜。
4.按照权利要求1所述的电池,其特征在于:
导电金属浆喷涂制备的电极层(7)的导电金属浆组成为导电油墨、导电银浆或导电Au浆;在纳米银线基础上制备的具有低导电性能的水性体系,粘度100~800mPa·S;掺铝的氧化锌,三氧化二铝和氧化锌的质量比在2:98~3:98。
5.一种权利要求1-4任一所述电池的制备方法,其特征在于:
高温银层(2)是通过245~260℃热蒸发的方法沉积于衬底(1)上;掺铝氧化锌层(3)是通过溅射方法制备的掺铝氧化锌薄膜,n型硅薄膜掺杂层(4)是掺杂PH3的SiH4在高温220℃~250℃下反应,反应过程是通过气体流量进行掺杂控制,PH3:SiH4的体积比例是1:3~1:4气体被分解而沉积到掺铝氧化锌的表面;本征硅薄膜层(5)是本征的SiH4在高温下反应,气体被分解而沉积到硅薄膜n层的表面;p型硅薄膜掺杂层(6)是掺杂B2H6的SiH4在高温下反应,反应过程是通过控制B2H6与SiH4的气体流量比,体积流量比2:5~2:7,气体被分解而沉积到刚才沉积的本征硅薄膜的表面;(7)是由导电金属细小颗粒配置的导电浆料通过喷枪均匀喷涂的薄膜;然后放进烘箱,将导电浆料膜中的有机试剂蒸发掉。
6.按照权利要求5所述的方法,其特征在于:导电浆料制备的电极层(7)取代传统nip型和以导电玻璃为基底的pin结构的硅薄膜太阳能电池中的电极层采用溅射方法制备的ITO,与n层(4),及i层(5)以及p型硅薄膜掺杂层(6)、导电油墨制备的电极层(7)构成太阳能电池。
7.按照权利要求5所述的方法,其特征在于:制备的硅基薄膜太阳能电池具有可卷曲性的特性。
8.按照权利要求5所述的方法,其特征在于:n型硅薄膜掺杂层(4)、本征硅薄膜层(5)和p型硅薄膜掺杂层(6)的制备方法,包括但不限于化学气相沉积或其他方法。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的