[发明专利]集成电路器件及制造这样的器件的方法

权利要求书

1.一种集成电路器件，包括：

基板；

鳍型有源区，在所述基板上在第一方向上延伸；

在所述鳍型有源区上的多个导电堆叠结构，沿着与所述第一方向相交的第二方向彼此平行地延伸；以及

在所述鳍型有源区上的多个源/漏区，

其中所述多个导电堆叠结构包括：

栅极堆叠结构，包括第一导电金属氮化物层并具有第一有效功函数；和

隔离堆叠结构，与所述栅极堆叠结构相邻，包括第二导电金属氮化物层并具有不同于所述第一有效功函数的第二有效功函数，所述第二导电金属氮化物层包括与所述第一导电金属氮化物层中包括的金属氮化物相同的金属氮化物，并具有与所述第一导电金属氮化物层不同的厚度。

2.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述第二导电金属氮化物层的厚度大于所述第一导电金属氮化物层的厚度，并且所述第二有效功函数高于所述第一有效功函数。

3.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述第二导电金属氮化物层的厚度小于所述第一导电金属氮化物层的厚度，并且所述第二有效功函数低于所述第一有效功函数。

4.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述隔离堆叠结构还包括在所述鳍型有源区和所述第二导电金属氮化物层之间的含La层。

5.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述第一导电金属氮化物层基本上无Si原子，所述第二导电金属氮化物层掺杂有Si原子。

6.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述栅极堆叠结构还包括覆盖所述第一导电金属氮化物层的第一含铝层；所述隔离堆叠结构还包括覆盖所述第二导电金属氮化物层的第二含铝层；并且所述第二含Al层中的第二Al含量不同于所述第一含铝层中的第一Al含量。

7.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述栅极堆叠结构还包括：

在所述鳍型有源区和所述第一导电金属氮化物层之间的第一界面层和第一栅极绝缘层，

所述隔离堆叠结构还包括在所述鳍型有源区和所述第二导电金属氮化物层之间的第二界面层和第二栅极绝缘层，以及

所述第二界面层的厚度大于所述第一界面层的厚度。

8.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述栅极堆叠结构还包括在所述鳍型有源区和所述第一导电金属氮化物层之间的第一界面层和第一栅极绝缘层，以及

所述隔离堆叠结构还包括在所述鳍型有源区和所述第二导电金属氮化物层之间的第二界面层、含氟层和第二栅极绝缘层。

9.一种集成电路器件，包括：

基板上的有源区；

在所述有源区中的彼此间隔开的多个沟道区；

在所述基板上的多个源/漏区；

在所述有源区上的绝缘结构，所述绝缘结构限定多个栅极空间；

在所述栅极空间中的第一个中的第一栅极堆叠结构，所述第一栅极堆叠结构包括第一含金属的功函数层；和

隔离堆叠结构，在所述栅极空间中的与所述栅极空间中的所述第一个相邻的第二个中，所述隔离堆叠结构具有与所述第一栅极堆叠结构不同的堆叠结构并被配置为电隔离所述有源区的一部分。

10.根据权利要求9所述的集成电路器件，其中所述隔离堆叠结构包括第二含金属的功函数层，所述第二含金属的功函数层包括与所述第一含金属的功函数层相同的材料并具有与所述第一含金属的功函数层不同的厚度。

11.根据权利要求9所述的集成电路器件，其中所述隔离堆叠结构包括包含与所述第一含金属的功函数层不同的材料的第三含金属的功函数层，并且所述隔离堆叠结构不包括包含与所述第一含金属的功函数层相同材料的层。

12.根据权利要求9所述的集成电路器件，其中所述源/漏区的每个包括N型杂质，

所述隔离堆叠结构包括包含与所述第一含金属的功函数层相同材料的第三含金属的功函数层以及在所述沟道区中的第一个与所述第三含金属的功函数层之间的第四含金属的功函数层，

所述第一含金属的功函数层和所述第三含金属的功函数层是包含Al原子的含金属的NMOS功函数调节层，以及

所述第四含金属的功函数层是包含金属氮化物的含金属的PMOS功函数调节层。