[发明专利]一种显示装置和显示装置的制作方法有效
申请号: | 201710551731.9 | 申请日: | 2017-07-07 |
公开(公告)号: | CN107359180B | 公开(公告)日: | 2020-05-22 |
发明(设计)人: | 林俊仪 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 林桐苒;李丹 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示装置 制作方法 | ||
1.一种显示装置,其特征在于,包括:设置于同一层中的触控走线和光子晶体结构,所述光子晶体结构在基板上的正投影与像素发光单元在所述基板上的正投影重叠,所述像素发光单元位于像素界定区域中,所述像素界定区域设置在像素界定层中;所述触控走线设置于多个所述光子晶体图形的周围;所述触控走线和所述光子晶体结构位于透明导电层中,所述触控走线和光子晶体结构通过一道制程完成制作。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述光子晶体结构为周期性排列的光子晶体单元,每个所述光子晶体单元内的光子晶体图形不同;
每个所述光子晶体图形,用于在所述像素发光单元发出的光经过本光子晶体图形后,形成特定波长范围的单色光。
3.根据权利要求2所述的显示装置,其特征在于,每个所述光子晶体单元内的光子晶体图形包括以不同周期排列的外凸柱状结构或内凹柱状结构。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的显示装置,其特征在于,所述像素发光单元包括依次排列的第一电极层、有机发光层和第二电极层。
5.根据权利要求1~3中任一项所述的显示装置,其特征在于,所述透明导电层远离所述基板的一侧设置有黑矩阵,所述黑矩阵位于两个相邻的光子晶体图形之间。
6.根据权利要求5所述的显示装置,其特征在于,所述像素界定层与所述透明导电层之间设置有薄膜封装层。
7.一种显示装置的制作方法,其特征在于,包括:
形成像素界定层中的像素界定区域,在每个像素界定区域中形成像素发光单元;
通过一次掩膜工艺形成触控走线和光子晶体结构,所述光子晶体结构在基板上的正投影与所述像素发光单元在所述基板上的正投影重叠;所述通过一次掩膜工艺形成触控走线和光子晶体结构,包括:
在所述像素界定层和所述像素发光单元上依次形成薄膜封装层和透明导电薄膜;
采用灰色调掩膜版对所述透明导电薄膜进行一次掩膜处理,形成所述触控走线和所述光子晶体结构,其中,所述触控走线围绕在多个光子晶体图形的周围。
8.根据权利要求7所述的显示装置的制作方法,其特征在于,所述触控走线和所述光子晶体结构形成于透明导电层上,所述方法还包括:
在所述透明导电层上形成黑矩阵,所述黑矩阵位于两个相邻的光子晶体图形之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的