[发明专利]一种GaN HEMT器件热阻和热容的测量方法

权利要求书

1.一种GaN HEMT器件热阻和热容的测量方法，其特征在于：包括以下步骤：

S1：在某工作偏置点下，测量GaN HEMT器件的连续波S参数，分别提取低频和高频时的漏极电导G_ds和漏极电容C_dd，其中步骤S1得到的低频漏极电导为G_{ds_l}，步骤S1得到的低频漏极电容为C_{dd_l}，步骤S1得到的高频漏极电导为G_{ds_h}，步骤S1得到的高频漏极电容为C_{dd_h}；

S2：在步骤S1相同偏置点的条件下，采用窄脉冲偏置，测量GaN HEMT器件的窄脉冲S参数，分别提取低频和高频时的漏极电导G_ds和漏极电容C_dd，其中步骤S2得到的在窄脉冲条件下的低频漏极电导为G_{dsp_l}，步骤S2得到的在窄脉冲条件下的低频漏极电容为C_{ddp_l}，步骤S2得到的在窄脉冲条件下的高频漏极电导为G_{dsp_h}，步骤S2得到的在窄脉冲条件下的高频漏极电容为C_{ddp_h}；

S3：在步骤S1相同的偏置点的条件下，测量在不同环境温度T_amb下的GaN HEMT器件的脉冲漏极电流I_ds，得到脉冲漏极电流I_ds随温度的变化特性；

S4：根据步骤S1～S3的结果，提取GaN HEMT器件的热阻和热容。

2.根据权利要求1所述的一种GaN HEMT器件热阻和热容的测量方法，其特征在于：所述的工作偏置点为V_d＝10V，Vg＝0V。

3.根据权利要求1所述的一种GaN HEMT器件热阻和热容的测量方法，其特征在于：所述的低频小于100kHz，高频大于10MHz。

4.根据权利要求1所述的一种GaN HEMT器件热阻和热容的测量方法，其特征在于：步骤S1包括以下子步骤：

S101：对GaN HEMT器件测试结构做去嵌入处理；

S102：建立GaN HEMT器件的小信号等效电路模型：选取含N个参数的小信号等效电路拓扑，其中有n个本征参数和m个外部寄生参数，N＝m+n；

S103：根据步骤S102的等效电路拓扑，提取GaN HEMT器件的m个外部寄生参数；

S104：在某工作偏置点下，提取GaN HEMT器件的漏极电导G_ds和漏极电容C_dd，其中G_{ds_l}为本步骤得到的低频漏极电导，C_{dd_l}为本步骤得到的低频漏极电容，G_{ds_h}为本步骤得到的高频漏极电导，C_{dd_h}为本步骤得到的高频漏极电容。