[发明专利]射频电路结构及具有该电路结构的射频放大器件在审
| 申请号： | 201710552476.X | 申请日： | 2017-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN107483023A | 公开（公告）日： | 2017-12-15 |
| 发明（设计）人： | 韩克锋 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H03F1/32 | 分类号： | H03F1/32;H03F3/189 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙)32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 210016 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 射频 电路 结构 具有 射频放大器 | ||
【权利要求书】：
1.一种射频电路结构，包括三极管(1)，其特征在于：在三极管(1)的输入端增加反向二极管(2)的并联结构，所述二极管(2)具有非线性结电容，二极管(2)的结方向与三极管(1)输入端的结方向相反。
2.根据权利要求1所述的射频电路结构，其特征在于：所述二极管(2)串联有隔直电容(3)。
3.根据权利要求2所述的射频电路结构，其特征在于：所述隔直电容(3)位于二极管(2)近三极管(1)端。
4.根据权利要求1所述的射频电路结构，其特征在于：所述二极管(2)为双极型的PN二极管、单极型的肖特基二极管、PIN二极管或者二极管连接形式的三极管。
5.根据权利要求1所述的射频电路结构，其特征在于：所述三极管(1)为MESFET、HEMT、PHEMT、BJT、HBT、JFET、HFET或者MOSFET。
6.构建具有上述任一射频电路结构的射频放大器件。
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