[发明专利]一种SiC晶圆的深孔清洗方法在审
| 申请号： | 201710552614.4 | 申请日： | 2017-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN107180748A | 公开（公告）日： | 2017-09-19 |
| 发明（设计）人： | 王珺楠 | 申请（专利权）人： | 成都海威华芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B08B3/08 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙)51223 | 代理人： | 徐丰 |
| 地址： | 610029 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 sic 清洗 方法 | ||
1.一种SiC晶圆的深孔清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、采用硝酸溶液对刻蚀通孔后的SiC晶圆进行第一次清洗；
S2、采用另一份硝酸溶液对SiC晶圆进行第二次清洗；
S3、采用纯水对SiC晶圆进行第三次清洗；
S4、对SiC晶圆进行干燥。
2.根据权利要求1所述的SiC晶圆的深孔清洗方法，其特征在于，所述硝酸溶液中硝酸与去离子水的体积比为1:4。
3.根据权利要求1所述的SiC晶圆的深孔清洗方法，其特征在于，所述第一次清洗的方式为浸泡，浸泡时间为120分钟，并且水浴加热硝酸溶液至40℃；浸泡时加超声波震动，超声波功率为300w，频率为双频40KHz和120KHz。
4.根据权利要求1所述的SiC晶圆的深孔清洗方法，其特征在于，所述第二次清洗的方式为浸泡，浸泡时间为60分钟，并且水浴加热硝酸溶液至40℃。
5.根据权利要求1所述的SiC晶圆的深孔清洗方法，其特征在于，所述第三次清洗的方式为浸泡，浸泡时间为5分钟。
6.根据权利要求1所述的SiC晶圆的深孔清洗方法，其特征在于，所述第一次清洗、第二次清洗、第三次清洗的方式为喷淋。
7.根据权利要求1所述的SiC晶圆的深孔清洗方法，其特征在于，所述步骤S4中干燥的方式为旋转甩干或氮气吹干。
8.根据权利要求7所述的SiC晶圆的深孔清洗方法，其特征在于，所述步骤S4中干燥的时间为5分钟。
9.根据权利要求1所述的SiC晶圆的深孔清洗方法，其特征在于，所述SiC晶圆尺寸为6英寸。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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