[发明专利]一种高稳定二氧化锡纳米陶瓷基一氧化碳室温传感器及其制备方法在审
| 申请号： | 201710552620.X | 申请日： | 2017-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN109211982A | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | 陈万平 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | G01N27/12 | 分类号： | G01N27/12;C04B35/457;C04B35/64 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 薛玲 |
| 地址： | 430072 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 二氧化锡 一氧化碳 一氧化碳传感器 室温传感器 纳米块体 纳米陶瓷 高稳定 制备 制备技术领域 表面制备 金属电极 纳米粉料 压力成型 烧结 孔隙率 溅射 坯体 钯粉 掺杂 响应 | ||
1.一种高稳定二氧化锡纳米陶瓷基一氧化碳室温传感器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤(1)，将二氧化锡纳米粉料加入去离子水中形成悬浮液，搅拌2-4小时；
步骤(2)，向步骤(1)所得悬浮液中加入钯盐的水溶液，搅拌2-4小时后，再加入与钯盐等摩尔的用于还原钯的金属粉，搅拌2-4小时，充分反应后，离心分离出固体粉末；
步骤(3)，将离心分离出的固体粉末烘干，加入粘结剂，研磨造粒，采用模具在为1-100MPa下压制成坯体；
步骤(4)，将所得坯体在600-1000摄氏度温度下烧结0.5-24小时，得到纳米块体；
步骤(5)，在烧结后的纳米块体表面形成成对的金属电极，得到高稳定二氧化锡纳米陶瓷基一氧化碳室温传感器。
2.如权利要求1所述的高稳定二氧化锡纳米陶瓷基一氧化碳室温传感器的制备方法，其特征在于，步骤(1)及步骤(2)中所述二氧化锡和钯盐的摩尔比为1：0.01-1：0.1。
3.如权利要求1所述的高稳定二氧化锡纳米陶瓷基一氧化碳室温传感器的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，所述钯盐为氯化钯，所述金属粉为锌粉。
4.如权利要求1所述的高稳定二氧化锡纳米陶瓷基一氧化碳室温传感器的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，所述粘结剂为PVA。
5.如权利要求1所述的高稳定二氧化锡纳米陶瓷基一氧化碳室温传感器的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，压制胚体的压力为10MPa。
6.如权利要求1所述的高稳定二氧化锡纳米陶瓷基一氧化碳室温传感器的制备方法，其特征在于，步骤(5)中，通过溅射或光刻方法，在块体表面形成成对的金属电极。
7.如权利要求1所述的高稳定二氧化锡纳米陶瓷基一氧化碳室温传感器的制备方法，其特征在于，步骤(5)中，所述的金属电极为铂、金或银。
8.一种高稳定二氧化锡纳米陶瓷基一氧化碳室温传感器，其特征在于，由权利要求1-7任一项所述的制备方法制备得到。
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