[发明专利]薄膜、其形成方法及其形成的栅极导电层

权利要求书

1.一种薄膜的形成方法，其特征在于，包括：

提供一衬底；及

在所述衬底上形成m层薄膜子层以及n层催化膜，所述薄膜子层和所述催化膜交替形成，且所述催化膜是通过对所述薄膜子层进行催化工艺形成，所述薄膜子层的厚度小于所述薄膜的厚度的1/4，所述催化膜的厚度小于所述薄膜子层的厚度的1/10，且所述催化膜的厚度介于0.1纳米～2.0纳米，在所述薄膜子层和所述催化膜形成之后，所述催化膜用于阻止所述薄膜子层中晶粒的生长，所述薄膜子层中晶粒尺寸为0.5nm～3nm，其中，n为大于等于1的正整数，m为选自于n与n+1其中之一的正整数；

对所述薄膜进行离子注入，使所述薄膜子层为掺质型薄膜子层。

2.如权利要求1所述的薄膜的形成方法，其特征在于，采用化学气相沉积法形成所述薄膜子层，所述薄膜子层的每一层厚度介于10纳米～25纳米。

3.如权利要求1所述的薄膜的形成方法，其特征在于，所述薄膜子层具有相同单元厚度的m层，所述催化膜具有相同单元厚度的n层。

4.如权利要求1所述的薄膜的形成方法，其特征在于，所述薄膜为硅薄膜，所述薄膜子层为硅薄膜子层，采用低压化学气相沉积法形成所述薄膜子层，反应气体包含选自于甲硅烷(SiH₄)与乙硅烷(Si₂H₆)所构成群组的其中之一，形成所述薄膜子层的反应腔室的温度范围为400℃～650℃，压强范围为80Pa～200Pa。

5.如权利要求1所述的薄膜的形成方法，其特征在于，所述催化工艺中采用的催化气体包含选自于氮气(N₂)、氯气(Cl₂)、水蒸气(H₂O)、氧气(O₂)及乙烯(C₂H₄)所构成群组的其中之一，形成所述催化膜的反应腔室的温度范围为400℃～650℃，压强范围为80Pa～200Pa。

6.如权利要求1所述的薄膜的形成方法，其特征在于，形成所述薄膜子层的反应腔室与形成所述催化膜的反应腔室为同一腔室。

7.一种薄膜，其特征在于，包括：

一衬底；及

在所述衬底上形成的m层薄膜子层以及n层催化膜，所述薄膜子层和所述催化膜交替形成，且所述催化膜是通过对所述薄膜子层进行催化工艺形成，所述薄膜子层的厚度小于所述薄膜的厚度的1/4，所述催化膜的厚度小于所述薄膜子层的厚度的1/10，且所述催化膜的厚度介于0.1纳米～2.0纳米，所述催化膜用于阻止所述薄膜子层中晶粒的生长，所述薄膜子层中晶粒尺寸为0.5nm～3nm，用于阻止所述薄膜子层中晶粒的生长，其中，n为大于等于1的正整数，m为选自于n与n+1其中之一的正整数；并且所述薄膜子层为经离子注入的掺质型薄膜子层。

8.如权利要求7所述的薄膜，其特征在于，所述薄膜子层的每一层厚度介于10纳米～25纳米。

9.如权利要求8所述的薄膜，其特征在于，所述催化膜为氧化膜。

10.一种栅极导电层，其特征在于，包含如权利要求7所述的薄膜。