[发明专利]基座以及物理气相沉积装置

权利要求书

1.一种基座，包括：

基座本体，具有一支撑面；

支撑柱，位于所述基座本体的所述支撑面的中部区域；以及

支撑件，位于所述基座本体的围绕所述支撑面的中部区域的周边区域，

其中，所述支撑柱被配置为支撑待加工件，所述支撑件被配置为支撑盖环，在所述待加工件被所述支撑柱支撑且所述盖环被所述支撑件支撑时，所述盖环的至少靠近内侧的部分位于所述待加工件的上侧，且所述盖环与所述待加工件彼此分离。

2.根据权利要求1所述的基座，其中，所述支撑件的远离所述支撑面的端部与所述支撑面之间的距离大于所述支撑柱的远离所述支撑面的端部与所述支撑面之间的距离。

3.根据权利要求1所述的基座，其中，所述支撑件为环状结构。

4.根据权利要求1所述的基座，其中，所述支撑件包括位于所述基座本体的周边区域的多个子支撑件。

5.根据权利要求4所述的基座，其中，所述多个子支撑件的个数为三个以上，且沿所述基座本体的周向均匀分布。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的基座，其中，所述支撑件的靠近所述支撑柱的内侧具有朝向所述支撑柱延伸的延伸部，所述延伸部的至少靠近内侧的部分的上表面为平行于所述支撑面的平面，且该平面距所述支撑面的距离小于或等于所述支撑柱的远离所述支撑面的端部距所述支撑面的距离。

7.根据权利要求6所述的基座，其中，在所述待加工件支撑在所述支撑柱上时，所述待加工件的边缘部分与所述延伸部的所述平面的至少一部分在所述支撑面上的投影重叠，所述支撑件的在所述延伸部的所述平面以上的部分位于所述待加工件的外侧。

8.根据权利要求7所述的基座，其中，在垂直于所述支撑面的方向上，所述待加工件的下表面与所述支撑件的延伸部的所述平面彼此相对的部分之间形成第一间隙，所述第一间隙在所述支撑面上的投影的径向长度与所述第一间隙的高度之比大于5。

9.根据权利要求1-5中任一项所述的基座，其中，在所述待加工件支撑在所述支撑柱上且所述盖环支撑在所述支撑件上时，所述盖环的至少靠近内侧的部分与所述待加工件在所述支撑面上的投影重叠。

10.根据权利要求9所述的基座，其中，在垂直于所述支撑面的方向上，所述待加工件的上表面与所述盖环的至少靠近内侧的部分的下表面彼此相对以形成第二间隙，所述第二间隙所述支撑面上的投影的径向长度与所述第二间隙的高度之比大于5。

11.根据权利要求1-5中任一项所述的基座，其中，所述支撑柱包括多个子支撑柱，所述多个子支撑柱中的至少之一为热电偶。

12.根据权利要求3所述的基座，其中，所述支撑件在远离所述基座本体的一侧具有至少一个豁口，所述支撑件在所述豁口处的顶端距所述支撑面的距离小于所述支撑件的其他部分的顶端距所述支撑面的距离。

13.一种物理气相沉积装置，包括：

腔体，所述腔体包括彼此相对的底壁和顶壁，以及在所述底壁和顶壁之间的侧壁；

根据权利要求1-12中任一项所述的基座，所述基座设置于所述腔体的内部，垂直于所述基座本体的支撑面的方向与从所述底壁到所述顶壁的方向大致相同，且所述基座本体的支撑面面对所述顶壁。

14.根据权利要求13所述的物理气相沉积装置，还包括屏蔽件，所述屏蔽件环绕在至少部分所述腔体的侧壁内且连接到所述腔体的侧壁，当所述盖环没有支撑在所述支撑件上时，由所述屏蔽件支撑所述盖环。