[发明专利]HBC型结晶太阳能电池的制造方法及HBC型结晶太阳能电池

权利要求书

1.一种HBC型结晶太阳能电池的制造方法，按顺序具备：

使用由第一导电型的结晶硅构成的基板，在相对于所述基板位于与光入射的一面相反侧的另一面侧，按顺序重叠形成由i型的非晶Si层α、与所述第一导电型不同的导电型的非晶Si层β和第一金属层构成的三层的工序；

通过利用掩膜的蚀刻法，至少全部去除所述非晶Si层β和所述第一金属层而形成凹部的工序；

通过利用所述掩膜的成膜法，以覆盖所述凹部的内底面和内侧面的方式形成i型的非晶Si层γ；

通过利用所述掩膜的成膜法，以覆盖所述凹部的内底面和内侧面上设置的非晶Si层γ的方式，形成与所述第一导电型相同的导电型的非晶Si层δ的工序；和

以填满由所述非晶Si层δ覆盖而成的凹部内的方式形成第二金属层的工序。

2.一种HBC型结晶太阳能电池的制造方法，按顺序具备：

使用由第一导电型的结晶硅构成的基板，在相对于所述基板位于与光入射的一面相反侧的另一面侧，按顺序重叠形成由i型的非晶Si层α和与所述第一导电型不同的导电型的非晶Si层β构成的两层的工序；

通过利用掩膜的蚀刻法至少全部去除所述非晶Si层β而形成凹部的工序；

通过利用所述掩膜的成膜法，以覆盖所述凹部的内底面和内侧面的方式形成i型的非晶Si层γ的工序；

通过利用所述掩膜的成膜法，以覆盖所述凹部的内底面和内侧面上设置的非晶Si层γ的方式，形成与所述第一导电型相同的导电型的非晶Si层δ的工序；和

在所述非晶Si层β和所述非晶Si层δ上形成金属层的工序。

3.一种HBC型结晶太阳能电池的制造方法，按顺序具备：

使用由第一导电型的结晶硅构成的基板，在相对于所述基板位于与光入射的一面相反侧的另一面侧，按顺序重叠形成由i型的非晶Si层α、与所述第一导电型相同的导电型的非晶Si层β和第一金属层构成的三层的工序；

通过利用掩膜的蚀刻法至少全部去除所述非晶Si层β和所述第一金属层而形成凹部的工序；

通过利用所述掩膜的成膜法，以覆盖所述凹部的内底面和内侧面的方式形成i型非晶Si层γ的工序；

通过利用所述掩膜的成膜法，以覆盖所述凹部的内底面和内侧面上设置的非晶Si层γ的方式形成与所述第一导电型不同的导电型的非晶Si层δ的工序；和

以填满由所述非晶Si层δ覆盖而成的凹部内的方式形成第二金属层的工序。

4.一种HBC型结晶太阳能电池的制造方法，按顺序具备：

使用由第一导电型的结晶硅构成的基板，在相对于所述基板位于与光入射的一面相反侧的另一面侧，按顺序重叠形成由i型的非晶Si层α和与所述第一导电型相同的导电型的非晶Si层β构成的两层的工序；

通过利用掩膜的蚀刻法至少全部去除所述非晶Si层β而形成凹部的工序；

通过利用所述掩膜的成膜法以覆盖所述凹部的内底面和内侧面的方式形成i型的非晶Si层γ的工序；

通过利用所述掩膜的成膜法，以覆盖所述凹部的内底面和内侧面上设置的非晶Si层γ的方式形成与所述第一导电型不同的导电型的非晶Si层δ的工序；和

在所述非晶Si层β和所述非晶Si层δ上形成金属层的工序。

5.根据权利要求1至4中的任一项所述的HBC型结晶太阳能电池的制造方法，

形成所述凹部的工序以使所述基板的另一面不露出的方式去除所述i型的非晶Si层α而形成所述凹部。

6.根据权利要求1至4中的任一项所述的HBC型结晶太阳能电池的制造方法，

形成所述凹部的工序以使所述基板的另一面露出的方式去除所述i型的非晶Si层α而形成所述凹部。

7.根据权利要求1或3所述的HBC型结晶太阳能电池的制造方法，

使用相同部件以作为所述第一金属层及所述第二金属层。