[发明专利]显示面板有效
申请号: | 201710555481.6 | 申请日: | 2017-07-10 |
公开(公告)号: | CN109244101B | 公开(公告)日: | 2023-06-13 |
发明(设计)人: | 赖育弘;吴志凌 | 申请(专利权)人: | 英属开曼群岛商錼创科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/62 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 马雯雯;臧建明 |
地址: | 开曼群岛大开曼岛,大展馆商业中心,奥林德道*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
基板,具有多个像素单元,各所述多个像素单元包括第一子像素区以及第二子像素区;
多个第一发光二极管,配置于所述基板上且位于多个所述第一子像素区;
多个第二发光二极管,配置于所述基板上且位于多个所述第二子像素区,其中各所述多个第一发光二极管的主要发光波长不同于各所述多个第二发光二极管的主要发光波长;
多个第一共电极,连接所述多个第一发光二极管,且与所述多个第一发光二极管形成欧姆接触;以及
多个第二共电极,连接所述多个第二发光二极管,且与所述多个第二发光二极管形成欧姆接触,其中所述多个第一共电极的材质不同于所述多个第二共电极的材质。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述多个第一共电极的材质为金/锗/镍,而所述多个第二共电极的材质为钛/铝。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,还包括:
多个第三发光二极管,配置于所述基板上且位于各所述多个像素单元的第三子像素区,其中所述多个第二共电极还连接所述多个第三发光二极管,且与所述多个第三发光二极管形成欧姆接触。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,各所述多个第一发光二极管为红光发光二极管,而各所述多个第二发光二极管为绿光发光二极管,且各所述多个第三发光二极管为蓝光发光二极管。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述多个第一发光二极管与所述多个第二发光二极管沿第一方向交替排列,而在第二方向上,两相邻的所述多个第一发光二极管之间的第一间距与两相邻的所述多个第二发光二极管之间的第二间距相同,且所述第一方向垂直于所述第二方向。
6.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述多个第一共电极还连接所述多个第二发光二极管,但不与所述多个第二发光二极管形成欧姆接触,而所述多个第二共电极还连接所述多个第一发光二极管,但不与所述多个第一发光二极管形成欧姆接触。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,各所述多个第一共电极包括多个第一连接部,且所述多个第一连接部连接至所述多个第一发光二极管,而各所述多个第二共电极包括多个第二连接部,且所述多个第二连接部连接至所述多个第二发光二极管。
8.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,各所述多个第一发光二极管包括第一P型半导体层、第一主动层以及第一N型半导体层,而各所述多个第二发光二极管包括第二P型半导体层、第二主动层以及第二N型半导体层,所述多个第一共电极与所述多个第一发光二极管的所述多个第一P型半导体层电性连接,所述多个第二共电极与所述多个第二发光二极管的所述多个第二P型半导体层电性连接。
9.根据权利要求8所述的显示面板,其特征在于,还包括:
绝缘层,配置于所述基板上,且位于所述多个第一共电极与所述基板之间以及所述多个第二共电极与所述基板之间,以使所述多个第一共电极与所述多个第一发光二极管的多个所述第一N型半导体层、多个所述第一主动层电性绝缘,以使所述多个第二共电极与所述多个第二发光二极管的多个所述第二N型半导体层、多个所述第二主动层电性绝缘。
10.根据权利要求9所述的显示面板,其特征在于,所述绝缘层的厚度大于所述第一主动层至所述基板上的第一垂直距离与所述第二主动层至所述基板上的第二垂直距离。
11.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,还包括:
透明导电层,配置于所述多个第一共电极与所述多个第二共电极上,且至少覆盖所述多个第一共电极、所述多个第二共电极、所述多个第一发光二极管以及所述多个第二发光二极管。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的