[发明专利]存储器的电流感测电路及感测方法有效
申请号: | 201710555943.4 | 申请日: | 2017-07-10 |
公开(公告)号: | CN109243505B | 公开(公告)日: | 2021-06-08 |
发明(设计)人: | 林宏学 | 申请(专利权)人: | 华邦电子股份有限公司 |
主分类号: | G11C7/10 | 分类号: | G11C7/10;G11C16/26 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 马雯雯;臧建明 |
地址: | 中国台湾台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 存储器 流感 电路 方法 | ||
本发明提供一种存储器的电流感测电路及感测方法。电流感测电路包括预充电电路、感测电流转电压产生器、辅助电流转电压产生器、参考电流转电压产生器以及检测电路。预充电电路在预充电时间区间中提供预充电信号至选中位元线。感测电流转电压产生器将选中位元线的存储单元电流通过第一负载产生感测电压。辅助电流转电压产生器在预充电时间区间中,将选中位元线的部分存储单元电流通过第二负载提供检测电压。参考电流转电压产生器在数据感测时间区间提供参考电压。检测电路依据第二负载产生的被检测电压与参考电压作比较来决定预充电时间区间的终止时间点。
技术领域
本发明涉及一种存储器的电流感测电路及感测方法,尤其涉及一种可动态调整预充电时间长度的存储器的感测电路及感测方法。
背景技术
在快闪存储器中,快闪存储单元中所存储的数据是通过程序化以及抹除的动作来设定。其中,程序化以及抹除的动作可改变快闪存储单元的临界电压。在进行数据读出动作时,已知技术常通过检测流通过快闪存储单元的电流大小来获知快闪存储单元所存储的数据。
值得一提的,为了加快数据的读出速度,特别是在高密度以及低工作电压的快闪存储单元的设计中,已知技术常通过预充电机制降低感测时间区间所需要的时间长度。然而,已知技术中所应用的预充电机制,常通过固定长度的预充电时间区间或是固定强度的预充电信号来进行,一旦发生过充电的现象时,反而造成感测时间区间所需要的时间长度增加的反效果,减低存储器的整体效能。
发明内容
本发明提供一种存储器的感测电路及感测方法,有效加快读出数据的感测速度。
本发明的存储器的感测电路包括预充电电路、感测电流转电压产生器与其开关、辅助电流转电压产生器与其开关、参考电流转电压产生器与其开关以及检测电路。预充电电路可经由同类型电流转电压产生器耦接至读取存储单元的选中位元线,在预充电时间区间中提供预充电信号至选中位元线。感测电流转电压产生器开关在数据感测时间区间开启,感测电流转电压产生器输出耦接至选中位元线的存储单元电流,并通过第一负载产生感测电压。辅助电流转电压产生器开关在预充电时间区间中开启,辅助电流转电压产生器输出耦接至选中位元线的部分存储单元电流,并通过第二负载提供辅助感测电压。参考电流转电压产生器开关在数据感测时间区间开启,参考电流转电压产生器输出耦接至参考位元线的参考存储单元电流,并通过参考负载产生参考电压。检测电路耦接至第二负载,依据第二负载产生的被检测电压与参考负载产生的参考电压作比较来决定预充电时间区间的终止时间点。
本发明的存储器的感测方法包括:在数据感测时间区间中启动预充电时间区间;在预充电时间区间中经由电流转电压产生器提供预充电电流至耦接读取存储单元的选中位元线;在预充电时间区间中,辅助电流转电压产生器同时耦接至选中位元线,经由读取存储单元的部分电流,通过第二负载提供被检测电压;以及,依据比较第二负载所产生的被检测电压与参考电压作比较来决定预充电时间区间的终止时间点;在数据感测时间区间,启动感测电流转电压产生器开关,感测电流转电压产生器输出耦接至选中位元线的存储单元电流,经由读取存储单元电流,通过第一负载提供感测电压。
基于上述,本发明提供的此种存储器的感测电路及感测方法,利用同类型辅助电流转电压产生器同时耦接至选中位元线,经由其读取存储单元的部分电流并通过第二负载提供一被检测电压,比较第二负载上的被检测电压与参考电压的关系来决定预充电时间区间的终止时间点。因此,本发明提供的此种存储器的感测电路及感测方法可通过提供动态调整的预充电机制以有效加快读出数据的感测速度,提升存储器的工作效能。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配合附图作详细说明如下。
附图说明
图1显示本发明一实施例的存储器的感测电路的示意图;
图2A显示本发明另一实施例的感测电路的示意图;
图2B显示本发明图2A实施例的感测电路的另一实施方式的示意图;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华邦电子股份有限公司,未经华邦电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710555943.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:基准电流产生电路、非易失性存储器及基准电流产生方法
- 下一篇:半导体器件