[发明专利]面向物联网的具有自供电功能的MOS管放大器

权利要求书

1.一种面向物联网的具有自供电功能的MOS管放大器，其特征在于：包括第一隔直电容C1、第二隔直电容C2、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、MOS管、VDD、稳压充电电路（13）以及自供电机构；信号通过第一隔直电容C1输入到MOS管的栅极（7），第一电阻R1和第二电阻R2分别为栅极（7）的上下偏置，第一电阻R1的另一端接到VDD，第二电阻R2的另一端接地，MOS管的源极（5）通过第三电阻R3接地，MOS管的漏极（6）通过第四电阻R4接到电源端VDD，放大后的信号通过MOS管的漏极（6）输出，MOS管的漏极（6）通过第二隔直电容C2接负载第五电阻R5，负载第五电阻的另一端接地；所述稳压充电电路(13)输入端与塞贝克电压的正极输出极连接，而所述稳压充电电路(13)的输出端与第四电阻R4输入端连接；而所述塞贝克电压的负极输出极接地。

2.根据权利要求1所述的面向物联网的具有自供电功能的MOS管放大器，其特征在于：所述 MOS管包括衬底（1）、氧化层（2）、栅氧化层（12）、MOSFET源区（3）、MOSFET漏区（4）、三个MOS管电极，所述三个MOS管电极分别为：源极（5）、漏极（6）、栅极（7）；其中：所述氧化层（2）、衬底（1）从上到下依次设置，所述MOSFET源区（3）设置于所述衬底（1）内，且所述MOSFET源区（3）位于衬底（1）上相邻氧化层（2）的一面；所述源极（5）穿过氧化层（2）与所述MOSFET源区（3）相连接；所述MOSFET漏区（4）设置于所述衬底（1）内，且所述MOSFET漏区（4）位于衬底（1）上相邻氧化层（2）的一面；所述漏极（6）穿过氧化层（2）与所述MOSFET漏区（4）相连接；所述栅极（7）设置于栅氧化层（12）上，所述栅氧化层（12）穿过氧化层（2）与所述衬底（1）相连接。

3.根据权利要求1所述的面向物联网的具有自供电功能的MOS管放大器，其特征在于：所述自供电机构包括金属Al型热电臂（8）、多晶硅N型热电臂（9）和连接线金属铝（10），所述金属Al型热电臂（8）分别绕三个MOS管电极分布，所述多晶硅N型热电臂（9）分别绕三个MOS管电极分布，同一个MOS管电极周围的金属Al型热电臂（8）和多晶硅N型热电臂（9）交替设置，且同一个MOS管电极周围的金属Al型热电臂（8）和多晶硅N型热电臂（9）通过连接线金属铝（10）串联起来，同时同一个MOS管电极留出两个热电偶电极作为塞贝克电压的输出极正极和负极，其中，同一个MOS管电极周围相邻的金属Al型热电臂（8）和多晶硅N型热电臂（9）通过连接线金属铝（10）连接构成一个热电偶；三个MOS管电极之间留出的热电偶电极通过连接线金属铝（10）串联起来，且留下两个留出的热电偶电极作为塞贝克电压的输出极。

4.根据权利要求3所述的面向物联网的具有自供电功能的MOS管放大器，其特征在于：所述的稳压充电电路（13）包括相互串联在一起的稳压电路和电容电池，所述稳压电路和电容电池一端与两个留出的热电偶电极之间的塞贝克电压的正极输出极连接，另一端与VDD连接。

5.根据权利要求3所述的面向物联网的具有自供电功能的MOS管放大器，其特征是：输出的塞贝克压差加到电容电池，进行电能存储，通过检测存储电量的大小，从而检测热耗散功率的大小。

6.根据权利要求3所述的面向物联网的具有自供电功能的MOS管放大器，其特征在于：所述三个MOS管电极周围各制作了12个热电偶。

7.根据权利要求3所述的面向物联网的具有自供电功能的MOS管放大器，其特征在于：在三个MOS管电极的左右两边对称设置4个热电偶，上下对称设置2个热电偶。

8.根据权利要求3所述的面向物联网的具有自供电功能的MOS管放大器，其特征在于：所述热电偶沿各自对应的MOS管电极均匀分布。

9.根据权利要求2所述的面向物联网的具有自供电功能的MOS管放大器，其特征在于：所述MOS管为N型MOS管。

10.根据权利要求2所述的面向物联网的具有自供电功能的MOS管放大器，其特征在于：所述衬底（1）为P型Si衬底。