[发明专利]干法蚀刻设备及蚀刻方法在审
申请号: | 201710556671.X | 申请日: | 2017-07-10 |
公开(公告)号: | CN107301967A | 公开(公告)日: | 2017-10-27 |
发明(设计)人: | 方亮;肖文欢 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙)44280 | 代理人: | 李庆波 |
地址: | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 蚀刻 设备 方法 | ||
1.一种干法蚀刻设备,其特征在于,包括能够彼此隔离的至少一个主蚀刻制程腔和至少一个后处理制程腔,所述主蚀刻制程腔使用含氯的蚀刻介质对待加工产品进行蚀刻,所述后处理制程腔使用含氟的置换介质将经蚀刻后所述待加工产品上残留的氯离子置换成氟离子。
2.根据权利要求1所述的干法蚀刻设备,其特征在于,所述主蚀刻制程时间为T1,所述后处理制程时间为T2,T1>T2,所述主蚀刻制程腔个数与所述后处理制程腔个数比值为M/1,T1/T2所得商为N,余数为t,当t=0时,M=N,当t>0时,M=N+1,其中N为自然数。
3.根据权利要求1所述的干法蚀刻设备,其特征在于,所述干法蚀刻设备进一步包括传送腔,所述主蚀刻制程腔和后处理制程腔分别连通所述传送腔,输入所述主蚀刻制程腔和所述后处理制程腔的所述待加工产品经所述传送腔进行中转。
4.根据权利要求3所述的干法蚀刻设备,其特征在于,所述干法蚀刻设备进一步包括连通所述传送腔的载入载出腔。
5.根据权利要求4所述的干法蚀刻设备,其特征在于,所述干法蚀刻设备进一步包括连通所述传送腔且能够替代所述主蚀刻制程腔或所述后处理制程腔的备用腔。
6.根据权利要求5所述的干法蚀刻设备,其特征在于,所述主蚀刻制程腔、后处理制程腔、载入载出腔和备用腔围绕所述传送腔均布设置且通过可启闭腔门进行隔离。
7.一种干法蚀刻方法,其特征在于,所述方法包括步骤:
将待加工产品传送到主蚀刻制程腔内;
向所述主蚀刻制程腔内通入含氯的蚀刻介质,以对所述待加工产品进行蚀刻;
将蚀刻后的待加工产品传送到后处理制程腔;
向所述后处理制程腔内通入含氟的置换介质,以将进行所述待加工产品残留的氯离子置换成氟离子。
8.根据权利要求7所述的干法蚀刻方法,其特征在于,所述将待加工产品传送到主蚀刻制程腔内的步骤包括:
经由与所述主蚀刻制程腔连接的传送腔将所述待加工产品传送到所述主蚀刻制程腔内;
所述将蚀刻后的待加工产品传送到后处理制程腔的步骤包括:
经由所述传送腔将蚀刻后的待加工产品传送到后处理制程腔。
9.根据权利要求7所述的干法蚀刻方法,其特征在于,所述方法进一步包括:在所述主蚀刻制程腔或后处理制程腔缺省时,启用备用腔作为所述主蚀刻制程腔或后处理制程腔。
10.根据权利要求9所述的干法蚀刻方法,其特征在于,所述主蚀刻制程时间为T1,所述后处理制程时间为T2,T1>T2,所述主蚀刻制程腔个数与所述后处理制程腔个数比值为M/1,T1/T2所得商为N,余数为t,当t=0时,M=N,当t>0时,M=N+1,其中N为自然数。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造