[发明专利]干法蚀刻设备及蚀刻方法在审

专利信息
申请号: 201710556671.X 申请日: 2017-07-10
公开(公告)号: CN107301967A 公开(公告)日: 2017-10-27
发明(设计)人: 方亮;肖文欢 申请(专利权)人: 武汉华星光电技术有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67
代理公司: 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙)44280 代理人: 李庆波
地址: 430070 湖北省武汉市*** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 蚀刻 设备 方法
【权利要求书】:

1.一种干法蚀刻设备,其特征在于,包括能够彼此隔离的至少一个主蚀刻制程腔和至少一个后处理制程腔,所述主蚀刻制程腔使用含氯的蚀刻介质对待加工产品进行蚀刻,所述后处理制程腔使用含氟的置换介质将经蚀刻后所述待加工产品上残留的氯离子置换成氟离子。

2.根据权利要求1所述的干法蚀刻设备,其特征在于,所述主蚀刻制程时间为T1,所述后处理制程时间为T2,T1>T2,所述主蚀刻制程腔个数与所述后处理制程腔个数比值为M/1,T1/T2所得商为N,余数为t,当t=0时,M=N,当t>0时,M=N+1,其中N为自然数。

3.根据权利要求1所述的干法蚀刻设备,其特征在于,所述干法蚀刻设备进一步包括传送腔,所述主蚀刻制程腔和后处理制程腔分别连通所述传送腔,输入所述主蚀刻制程腔和所述后处理制程腔的所述待加工产品经所述传送腔进行中转。

4.根据权利要求3所述的干法蚀刻设备,其特征在于,所述干法蚀刻设备进一步包括连通所述传送腔的载入载出腔。

5.根据权利要求4所述的干法蚀刻设备,其特征在于,所述干法蚀刻设备进一步包括连通所述传送腔且能够替代所述主蚀刻制程腔或所述后处理制程腔的备用腔。

6.根据权利要求5所述的干法蚀刻设备,其特征在于,所述主蚀刻制程腔、后处理制程腔、载入载出腔和备用腔围绕所述传送腔均布设置且通过可启闭腔门进行隔离。

7.一种干法蚀刻方法,其特征在于,所述方法包括步骤:

将待加工产品传送到主蚀刻制程腔内;

向所述主蚀刻制程腔内通入含氯的蚀刻介质,以对所述待加工产品进行蚀刻;

将蚀刻后的待加工产品传送到后处理制程腔;

向所述后处理制程腔内通入含氟的置换介质,以将进行所述待加工产品残留的氯离子置换成氟离子。

8.根据权利要求7所述的干法蚀刻方法,其特征在于,所述将待加工产品传送到主蚀刻制程腔内的步骤包括:

经由与所述主蚀刻制程腔连接的传送腔将所述待加工产品传送到所述主蚀刻制程腔内;

所述将蚀刻后的待加工产品传送到后处理制程腔的步骤包括:

经由所述传送腔将蚀刻后的待加工产品传送到后处理制程腔。

9.根据权利要求7所述的干法蚀刻方法,其特征在于,所述方法进一步包括:在所述主蚀刻制程腔或后处理制程腔缺省时,启用备用腔作为所述主蚀刻制程腔或后处理制程腔。

10.根据权利要求9所述的干法蚀刻方法,其特征在于,所述主蚀刻制程时间为T1,所述后处理制程时间为T2,T1>T2,所述主蚀刻制程腔个数与所述后处理制程腔个数比值为M/1,T1/T2所得商为N,余数为t,当t=0时,M=N,当t>0时,M=N+1,其中N为自然数。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电技术有限公司,未经武汉华星光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710556671.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top