[发明专利]掩膜有效
申请号: | 201710556840.X | 申请日: | 2017-07-10 |
公开(公告)号: | CN107290928B | 公开(公告)日: | 2020-10-30 |
发明(设计)人: | 江南辉;陈瑞祥;赖俊志;邓博文;陈信宏 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00;H01L51/56 |
代理公司: | 北京市立康律师事务所 11805 | 代理人: | 梁挥;孟超 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 掩膜 | ||
1.一种掩膜,其特征在于,包含:
多个第一岛状物;以及
多个第二岛状物,连接该多个第一岛状物且与该多个第一岛状物在行列方向上都交错排列,每两个邻近的该第一岛状物与对应的两个该第二岛状物之间夹有一通孔,其中该多个第一岛状物的顶面面积大于该多个第二岛状物的顶面面积,该第一岛状物的顶面面积与底面面积的比值大于该第二岛状物的顶面面积与底面面积的比值。
2.根据权利要求1所述的掩膜,其特征在于,该多个第一岛状物以及该多个第二岛状物沿着一第一方向以及一第二方向交错排列,该第一方向与该第二方向之间的夹角大于0度且小于等于90度。
3.根据权利要求1所述的掩膜,其特征在于,每一该第一岛状物的侧壁具有一第一坡度,且每一该第二岛状物的侧壁具有一第二坡度,该第一坡度大于该第二坡度。
4.根据权利要求3所述的掩膜,其特征在于,该第一坡度介于60度与80度之间,且该第二坡度介于30度与50度之间。
5.根据权利要求1所述的掩膜,其特征在于,每一该第一岛状物的顶面面积与底面面积的比值介于0.3与0.4之间,且每一该第二岛状物的顶面面积与底面面积的比值介于0.05与0.1之间。
6.根据权利要求1所述的掩膜,其特征在于,每两个邻近的该多个第一岛状物的顶面边缘之间的最大距离小于每两个邻近的该多个第二岛状物的顶面边缘之间的最大距离。
7.根据权利要求1所述的掩膜,其特征在于,该多个第一岛状物与该多个第二岛状物的材料包括金属。
8.根据权利要求1所述的掩膜,其特征在于,该通孔的底面形状与该通孔的顶面形状不相同。
9.根据权利要求1所述的掩膜,其特征在于,该多个第一岛状物的厚度等于该多个第二岛状物的厚度。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备