[发明专利]太赫兹奇次平衡式倍频器

权利要求书

1.一种太赫兹奇次平衡式倍频器，其特征在于，包括：输入端波导结构、输出端波导结构和太赫兹奇次平衡式倍频电路；

所述输入端波导结构包括一个第一标准波导，所述第一标准波导为所述输入端波导结构的末级波导，所述输入端波导结构的末级波导的末端为第一短路面；

所述输出端波导结构包括依次连接的至少一个第二标准波导和至少一个第一减高波导，所述输出端波导结构一端的一个第一减高波导为所述输出端波导结构的末级波导，所述输出端波导结构的末级波导的末端为第二短路面；

所述太赫兹奇次平衡式倍频电路包括通过传输线依次连接的第一E面微带探针、肖基特二极管和第二E面微带探针；

所述第一E面微带探针通过所述输入端波导结构的末级波导上设置的第一开口延伸至所述输入端波导结构内，将接收到的本振信号从输入端波导结构的腔体内耦合至所述肖基特二极管；所述第二E面微带探针通过所述输出端波导结构的末级波导上设置的第二开口延伸至所述输出端波导结构内，将本振信号经过所述肖基特二极管倍频处理后的得到射频信号耦合至所述输出端波导结构的腔体内。

2.根据权利要求1所述的太赫兹奇次平衡式倍频器，其特征在于，所述输入端波导结构还包括一个与所述第一标准波导连接的第二减高波导，所述第二减高波导为所述输入端波导结构的末级波导。

3.根据权利要求1所述的太赫兹奇次平衡式倍频器，其特征在于，

所述输入端波导结构的末级波导的长度大于本振信号基波频率的四分之一波导波长，所述第一开口位于所述输入端波导结构的末级波导的H面径向轴线处且于轴线平行，所述第一开口与所述第一短路面的间距为本振信号基波频率的四分之一波导波长；

所述输出端波导结构的末级波导的长度大于本振信号经过倍频处理后产生的谐波频率的四分之一波导波长，所述第二开口位于所述输出端波导结构的末级波导的H面径向轴线处且于轴线平行，所述第二开口与所述第二短路面的间距为本振信号经过倍频处理后产生的谐波频率的四分之一波导波长。

4.根据权利要求1所述的太赫兹奇次平衡式倍频器，其特征在于，所述太赫兹奇次平衡式倍频电路还包括：第一低通滤波器、输入匹配电路；

所述第一低通滤波器的输入端与所述第一E面微带探针连接，所述第一低通滤波器的输出端与所述输入匹配电路的输入端连接；

所述输入匹配电路的输出端与所述肖基特二极管连接；

所述肖基特二极管的与所述第二E面微带探针连接。

5.根据权利要求1所述的太赫兹奇次平衡式倍频器，其特征在于，还包括偏置电路，所述偏置电路包括接入直流电源的偏置电路微带线和第二低通滤波器、电容；

所述偏置电路微带线的输出端与所述第二低通滤波器的输入端连接，所述第二低通滤波器的输出端与所述电容通过跳线连接，所述电容与所述肖基特二极管通过跳线连接。

6.根据权利要求5所述的太赫兹奇次平衡式倍频器，其特征在于，所述偏置电路的外部设有偏置电路腔体。

7.根据权利要求1所述的太赫兹奇次平衡式倍频器，其特征在于，所述太赫兹倍频电路外部设置电路主腔体。

8.根据权利要求7所述的太赫兹奇次平衡式倍频器，其特征在于，所述肖基特二极管通过接地金属与所述电路主腔体连接。

9.根据权利要求4所述的太赫兹奇次平衡式倍频器，其特征在于，所述第一低通滤波器为5阶或7阶高低阻抗微带线。

10.根据权利要求1至8任一项所述的太赫兹奇次平衡式倍频器，其特征在于，所述输入端波导结构与所述输出端波导结构的各级波导的E面重合。