[发明专利]一种偏置电流产生电路在审
| 申请号： | 201710557993.6 | 申请日： | 2017-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN107168454A | 公开（公告）日： | 2017-09-15 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长沙方星腾电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G05F3/26 | 分类号： | G05F3/26 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 410205 湖南省长沙市长沙高新开*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 偏置 电流 产生 电路 | ||
【权利要求书】：
1.一种偏置电流产生电路，其特征在于，包括：第一PMOS晶体管P1、第二PMOS晶体管P2、第三PMOS晶体管P3、第四PMOS晶体管P4、第一NMOS晶体管N1、第二NMOS晶体管N2、第三NMOS晶体管N3、第四NMOS晶体管N4、第五NMOS晶体管N5和第一电阻R1；第一PMOS晶体管P1的源极接电源，栅极接第二PMOS晶体管P2的栅极和漏极、第三PMOS晶体管P3和第四PMOS晶体管P4的栅极，漏极接第一电阻R1的一端和第三NMOS晶体管N3的栅极；第一电阻R1的另一端接第三NMOS晶体管N3的漏极和第四NMOS晶体管N4的栅极；第三NMOS晶体管N3的源极接地；第二PMOS晶体管P2的源极接电源，漏极接第一NMOS晶体管N1的漏极；第一NMOS晶体管N1的栅极接第二NMOS晶体管N2的栅极，源极接第四NMOS晶体管N4的漏极；第四NMOS晶体管N4的源极接地；第三PMOS晶体管P3的源极接电源、漏极接第二NMOS晶体管的栅极和漏极；第二NMOS晶体管N2的源极接第五NMOS晶体管N5的栅极和漏极；第五NMOS晶体管N5的源极接地；第四PMOS晶体管P4的源极接电源，漏极接模块的输出端PBIAS。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长沙方星腾电子科技有限公司，未经长沙方星腾电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710557993.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
