[发明专利]一种双端口SRAM器件及其制作方法、电子装置

权利要求书

1.一种双端口SRAM器件，其特征在于，包括第一反相器和第二反相器；

所述第一反相器包括第一上拉晶体管和第一下拉晶体管，所述第一上拉晶体管和所述第一下拉晶体管的栅极彼此连接并形成h形结构；

所述第二反相器包括第二上拉晶体管和第二下拉晶体管，所述第二上拉晶体管和所述第二下拉晶体管的栅极彼此连接并形成h形结构，所述第一反相器和所述第二反相器的h形结构包括：沿第一方向延伸的第一栅极线和第二栅极线，所述第一栅极线和第二栅极线沿第二方向间隔排列，所述第二方向垂直于所述第一方向；沿所述第二方向延伸的栅极连线，所述栅极连线与所述第一栅极线、第二栅极线均连接；

所述第一下拉晶体管位于第一有源区，所述第一上拉晶体管位于第二有源区，所述第二下拉晶体管位于第三有源区，所述第二上拉晶体管位于第四有源区，所述第一、二、四、三有源区沿第一方向依次间隔排布；

所述第一反相器的栅极连线设置在所述第一有源区和所述第二有源区之间、第一栅极线横跨所述第一有源区、第二栅极线横跨所述第一有源区和第二有源区；

所述第二反相器的栅极连线设置在所述第三有源区和所述第四有源区之间、第一栅极线横跨所述第三有源区、第二栅极线横跨所述第三有源区和第四有源区。

2.根据权利要求1所述的双端口SRAM器件，其特征在于，所述第一反相器和所述第二反相器的栅极连线的两端分别沿所述第二方向突出于所述第一栅极线、第二栅极线。

3.根据权利要求1所述的双端口SRAM器件，其特征在于，所述第一反相器和所述第二反相器呈中心对称分布。

4.一种双端口SRAM器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成第一反相器和第二反相器；

所述第一反相器包括第一上拉晶体管和第一下拉晶体管，所述第一上拉晶体管和所述第一下拉晶体管的栅极彼此连接并形成h形结构；

所述第二反相器包括第二上拉晶体管和第二下拉晶体管，所述第二上拉晶体管和所述第二下拉晶体管的栅极彼此连接并形成h形结构；

所述第一反相器和所述第二反相器的h形结构包括：沿第一方向延伸的第一栅极线和第二栅极线，所述第一栅极线和第二栅极线沿第二方向间隔排列，所述第二方向垂直于所述第一方向；沿所述第二方向延伸的栅极连线，所述栅极连线与所述第一栅极线、第二栅极线均连接；

所述第一下拉晶体管位于第一有源区，所述第一上拉晶体管位于第二有源区，所述第二下拉晶体管位于第三有源区，所述第二上拉晶体管位于第四有源区，所述第一、二、四、三有源区沿第一方向依次间隔排布；

所述第一反相器的栅极连线设置在所述第一有源区和所述第二有源区之间、第一栅极线横跨所述第一有源区、第二栅极线横跨所述第一有源区和第二有源区；

所述第二反相器的栅极连线设置在所述第三有源区和所述第四有源区之间、第一栅极线横跨所述第三有源区、第二栅极线横跨所述第三有源区和第四有源区。

5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述第一反相器和所述第二反相器的栅极连线的两端分别沿所述第二方向突出于所述第一栅极线、第二栅极线。

6.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述第一反相器和所述第二反相器呈中心对称分布。

7.一种电子装置，其特征在于，包括如权利要求1-3中的任意一项所述的双端口SRAM以及与所述双端口SRAM连接的电子组件。