[发明专利]一种高位开关驱动电路

权利要求书

1.一种高位开关驱动电路，包括低位开关LS，绕组N1，高位开关组合电路2和高位三极管组合电路3，箝位电容Cc，其特征为：所述的高位开关组合电路2的漏极连接箝位电容Cc，高位开关组合电路2的栅极连接绕组N1的同名端，高位开关组合电路2的源极连接高位三极管组合电路3的集电极，所述的高位三极管组合电路3的发射极连接绕组N1的同名端，绕组N1的同名端连接低位开关LS的漏极，绕组N1的另一端连接箝位电容Cc；

所述的高位开关组合电路2包括高位开关HS，栅源稳压管ZD，栅源电容Cg，栅源电阻Rg，其连接方式为：所述的栅源稳压管ZD的阴极和阳极分别并联在所述的高位开关HS的栅极和源极，所述的栅源电容Cg并联在所述的高位开关HS的栅极和源极，所述的栅源电阻Rg并联在所述的高位开关HS的栅极和源极，所述的高位开关组合电路2，其作用为保持并限制驱动电压，令高位开关HS工作在安全范围；

所述的高位三极管组合电路3包括高位三极管HN和基极阻抗Zb，其连接方式为：所述的基极阻抗Zb并联在所述的高位三极管HN的基极和发射极，所述的高位三极管组合电路3，其作用为：利用高位三极管HN的反向击穿特性，使绕组N1的续流电流产生适合的正向驱动电压，利用三极管的慢速恢复特性，使箝位电容Cc的放电电流延时产生较高的负向驱动电压。

2.根据权利要求1所述的一种高位开关驱动电路， 其特征是，所述的栅源稳压管ZD的阴极和阳极分别并联在高位开关HS的栅极和源极，其作用是保护高位开关HS的栅极电压在安全范围内，同时利用所述的栅源稳压管ZD的反向击穿特性，使绕组N1的续流电流产生适合的正向驱动电压，利用所述的栅源稳压管ZD的正向导通特性，使箝位电容Cc的放电电流产生较小的负向驱动电压；此器件或者是稳压管，或者是瞬态抑制二极管，或者是压敏电阻。

3.根据权利要求1所述的一种高位开关驱动电路， 其特征是，所述的栅源电容Cg并联在高位开关HS的栅极和源极，其作用是存储电荷，用来延时驱动高位开关HS导通和关断。

4.根据权利要求1所述的一种高位开关驱动电路， 其特征是，所述的基极阻抗Zb并联在高位三极管HN的基极和发射极，基极阻抗Zb或者是电阻，或者是电感，或者是电容。

5.根据权利要求1所述的一种高位开关驱动电路，其特征是，所述的高位开关HS和低位开关LS或者是MOSFET开关器件，或者是三极管，或者是IGBT，或者是GaN开关器件，或者是SiC开关器件。