[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

第一电路，具有多个鳍型场效应晶体管FinFET；

第二电路，具有多个FinFET并通过第一信号配线被提供来自所述第一电路的第一输出信号；

第一电源配线，被提供第一电源电位；

第二电源配线，被提供第二电源电位，所述第二电源电位具有绝对值与所述第一电源电位不同的电位；以及

第一选择电路，耦合到所述第一电源配线、所述第二电源配线和所述第一电路，并且选择所述第一电源电位或所述第二电源电位以提供给所述第一电路作为工作电位，

其中包括在所述第一电路中的FinFET中的第一FinFET被提供由所述第一选择电路选择的所述第一电源电位或所述第二电源电位。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中所述第一电源电位是第一地电位，

其中所述第二电源电位是第二地电位，所述第二地电位具有比所述第一地电位低的电位，

其中包括在所述第二电路中的FinFET中的第二FinFET包括耦合到所述第一信号配线的栅极电极、第一电极和被提供所述第一地电位的第二电极，

其中所述第一FinFET包括栅极电极、耦合到所述第一信号配线的第一电极和被提供由所述第一选择电路选择的所述第一地电位或所述第二地电位的第二电极，以及

其中当所述第一选择电路选择所述第二地电位时，所述第二地电位通过所述第一FinFET被提供给所述第一信号配线。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中所述第一电源电位是第一地电位，

其中所述第二电源电位是比所述第一地电位高的第二地电位，

其中所述第一FinFET包括栅极电极、耦合到所述第一信号配线的第一电极和被提供由所述第一选择电路选择的所述第一地电位或所述第二地电位的第二电极，以及

其中当所述第一选择电路选择所述第一地电位时，所述第一输出信号在所述第一地电位和电源电位之间改变，而当所述第一选择电路选择所述第二地电位时，所述第一输出信号在所述第二地电位和所述电源电位之间改变。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中所述第一电源电位相对于地电位具有第一电位，

其中所述第二电源电位具有比所述第一电位高的第二电位，

其中所述第一FinFET包括栅极电极、耦合到信号配线的第一电极和被提供由所述第一选择电路选择的所述第一电源电位或所述第二电源电位的第二电极，以及

其中当所述第一选择电路选择所述第一电源电位时，所述第一输出信号在所述地电位和所述第一电位之间改变，而当所述第一选择电路选择所述第二电源电位时，所述第一输出信号在所述地电位和所述第二电源电位之间改变。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，包括：

第三电源配线，被提供具有与所述第一电源电位和所述第二电源电位的绝对值不同的电位的第三电源电位；

第四电源配线，被提供具有与所述第一电源电位、所述第二电源电位和所述第三电源电位的绝对值不同的电位的第四电源电位；以及

第二选择电路，耦合到所述第三电源配线、所述第四电源配线和所述第一电路，并将所述第三电源电位或所述第四电源电位提供给所述第一电路，

其中包括在所述第一电路中的FinFET中的第三FinFET被提供由所述第二选择电路选择的所述第三电源电位或所述第四电源电位作为工作电位。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，

其中所述第一FinFET包括N型FinFET，所述N型FinFET具有栅极电极、耦合到所述第一信号配线的第一电极和被提供由所述第一选择电路选择的所述第一电源电位或所述第二电源电位的第二电极，以及

其中所述第三FinFET包括P型FinFET，所述P型FinFET具有栅极电极、耦合到所述第一信号配线的第一电极和被提供由所述第二选择电路选择的所述第三电源电位或所述第四电源电位的第二电极。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，包括：

电源电路，形成所述第一电源电位、所述第二电源电位、所述第三电源电位和所述第四电源电位，并分别将所述第一电源电位、所述第二电源电位、所述第三电源电位和所述第四电源电位提供给所述第一电源配线、所述第二电源配线、所述第三电源配线和所述第四电源配线。