[发明专利]微型发光元件与显示装置有效

专利信息
申请号: 201710559367.0 申请日: 2017-07-11
公开(公告)号: CN109244204B 公开(公告)日: 2021-08-03
发明(设计)人: 李允立;李玉柱;陈培欣 申请(专利权)人: 英属开曼群岛商錼创科技股份有限公司
主分类号: H01L33/14 分类号: H01L33/14;G09F9/33
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 马雯雯;臧建明
地址: 开曼群岛大开曼岛,大展馆商业中心,奥林德道*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 微型 发光 元件 显示装置
【权利要求书】:

1.一种微型发光元件,包括:

磊晶结构层,包括:

第一型半导体层;

发光层,配置于所述第一型半导体层上;以及

第二型半导体层,配置于所述发光层上;

第一型接垫,配置于所述磊晶结构层上,且电性连接所述第一型半导体层;

第二型接垫,配置于所述磊晶结构层上,且电性连接所述第二型半导体层;以及

电流调控结构,配置于所述第二型半导体层与所述第二型接垫之间,其中所述第二型半导体层与所述电流调控结构的接触电阻小于所述第二型半导体层与所述第二型接垫的接触电阻,所述电流调控结构于所述第二型半导体层上的正投影面积小于所述第二型接垫于所述第二型半导体层上的正投影面积,且所述电流调控结构与所述第二型半导体层的接触面积大于所述电流调控结构与所述第二型接垫的接触面积,其中所述电流调控结构与所述第二型半导体层形成欧姆接触,且所述电流调控结构与所述第二型半导体层的欧姆接触面积大于所述电流调控结构于所述第二型半导体层上的正投影面积。

2.根据权利要求1所述的微型发光元件,其中所述电流调控结构于所述第二型半导体层上的正投影面积与所述第二型接垫于所述第二型半导体层上的正投影面积的比值介于0.1至0.9之间。

3.根据权利要求1所述的微型发光元件,其中所述电流调控结构的功函数大于所述第二型半导体层的功函数。

4.根据权利要求1所述的微型发光元件,其中所述电流调控结构的功函数大于所述第二型接垫的功函数。

5.根据权利要求1所述的微型发光元件,其中所述第二型接垫的厚度与所述电流调控结构的厚度的比值介于2至400之间。

6.根据权利要求1所述的微型发光元件,其中所述电流调控结构的厚度介于5纳米至200纳米之间。

7.根据权利要求1所述的微型发光元件,其中所述第二型接垫于所述第二型半导体层上的正投影面积与所述第二型半导体层的面积的比值介于0.1至0.9之间。

8.根据权利要求1项所述的微型发光元件,其中所述电流调控结构包括膜层或图案化结构。

9.根据权利要求1所述的微型发光元件,其中所述电流调控结构至最邻近的所述第二型半导体层的边缘的水平距离与所述微型发光元件的最大宽度的比值大于等于0.01。

10.根据权利要求9所述的微型发光元件,其中所述电流调控结构至最邻近的所述第二型半导体层的边缘的水平距离大于等于1微米。

11.根据权利要求1所述的微型发光元件,其中所述电流调控结构内埋于所述第二型半导体层。

12.根据权利要求1所述的微型发光元件,其中所述第一型接垫与所述第二型接垫位于所述发光层的同一侧,且所述磊晶结构层还包括通孔,依序贯穿所述第二型半导体层、所述发光层以及所述第一型半导体层的部分,且所述第一型接垫配置于所述通孔内而与所述第一型半导体层电性连接。

13.根据权利要求1所述的微型发光元件,其中所述第一型接垫与所述第二型接垫位于所述发光层的相对两侧。

14.根据权利要求1所述的微型发光元件,还包括:

绝缘层,配置于所述第二型半导体层的表面上,其中所述绝缘层具有开口,所述开口暴露出所述第二型半导体层的部分所述表面,而所述第二型接垫配置于所述开口上且与所述第二型半导体层电性连接。

15.根据权利要求14所述的微型发光元件,其中所述电流调控结构配置于被所述开口所暴露出的所述第二型半导体层的所述表面上,且位于所述第二型半导体层与所述第二型接垫之间。

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