[发明专利]一种改性银纳米线透明导电膜及提高银纳米线透明导电膜的导电性和抗氧化性的方法在审
申请号: | 201710559786.4 | 申请日: | 2017-07-11 |
公开(公告)号: | CN107331445A | 公开(公告)日: | 2017-11-07 |
发明(设计)人: | 胡家文;葛勇杰;段曦东;段镶锋 | 申请(专利权)人: | 湖南大学 |
主分类号: | H01B5/14 | 分类号: | H01B5/14;H01B13/00 |
代理公司: | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙)11371 | 代理人: | 吴啸寰 |
地址: | 410082 湖*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 改性 纳米 透明 导电 提高 导电性 氧化 方法 | ||
1.一种提高银纳米线透明导电膜的导电性和抗氧化性的方法,其特征在于,其包括:
用以乙醇-水作为混合溶剂的NaBH4溶液对银纳米线透明导电膜进行第一次表面处理;
将经过所述第一次表面处理的所述银纳米线透明导电膜与n-烷基硫醇的溶液接触,进行第二次表面处理。
2.根据权利要求1所述的提高银纳米线透明导电膜的导电性和抗氧化性的方法,其特征在于,所述第一次表面处理是将所述银纳米线透明导电膜在浓度为0.4~0.6mol/L NaBH4的乙醇/水溶液中浸泡1~120s,优选地,浸泡时间为30~70s,浸泡结束后取出所述银纳米线透明导电膜依次用乙醇、水将残余的NaBH4漂洗干净,然后自然晾干或用氮气将透明导电膜轻轻吹干。
3.根据权利要求1所述的提高银纳米线透明导电膜的导电性和抗氧化性的方法,其特征在于,所述第二次表面处理是将吹干后的所述银纳米线透明导电膜在0.3~0.6mol/L的n-烷基硫醇的溶液中浸泡1~900s,优选地,浸泡时间为160~260s,浸泡结束后取出所述银纳米线透明导电膜,用乙醇将多余的所述n-烷基硫醇漂洗干净,然后自然晾干或用氮气将所述银纳米线透明导电膜轻轻吹干。
4.根据权利要求1所述的提高银纳米线透明导电膜的导电性和抗氧化性的方法,其特征在于,所述银纳米线透明导电膜是通过将银纳米线分散在溶剂中形成浓度为0.6~0.8mg/mL的分散液,并将所述分散液涂布、打印在透明固态基底表面,自然干燥后得到的;优选地,所述透明固态基底包括柔性聚对苯二甲酸乙二醇酯基底或硬质的玻璃基底中的任一种;优选地,所述分散液的所述溶剂包括乙醇、水以及丙醇中的任一种。
5.根据权利要求4所述的提高银纳米线透明导电膜的导电性和抗氧化性的方法,其特征在于,涂布的方式包括旋涂、精密涂布、迈耶杆涂布、挤压式涂布、微凹版印刷以及喷墨打印中的任一种。
6.根据权利要求1所述的提高银纳米线透明导电膜的导电性和抗氧化性的方法,其特征在于,所述n-烷基硫醇包括正12烷基硫醇、正庚烷硫醇、正辛烷硫醇、正壬烷硫醇、正奎烷硫醇以及正11烷基硫醇中的任一种。
7.根据权利要求1所述的提高银纳米线透明导电膜的导电性和抗氧化性的方法,其特征在于,所述n-烷基硫醇的所述溶液的溶剂包括乙醇、丙醇以及异丙醇中的任一种。
8.根据权利要求2所述的提高银纳米线透明导电膜的导电性和抗氧化性的方法,其特征在于,所述浓度为0.4~0.6mol/LNaBH4的乙醇/水溶液中所述乙醇与所述水的体积比为2:3~3:2。
9.根据权利要求4所述的提高银纳米线透明导电膜的导电性和抗氧化性的方法,其特征在于,将所述分散液涂布在所述透明固态基底表面之前,对所述透明固态基底依次进行乙醇浸泡、超纯水冲洗以及常温自然干燥后得到洁净的所述透明固态基底。
10.一种改性银纳米线透明导电膜,其特征在于,通过权利要求1至9中任一项所述的提高银纳米线透明导电膜的导电性和抗氧化性的方法制备得到。
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