[发明专利]预先凸起的重分布层结构及半导体封装

权利要求书

1.一种半导体封装，其特征在于，包括：

预先凸起的重分布层结构，具有相对的第一和第二表面，其中该先预凸起的重分布层结构包括：凸块垫，位于该第一表面上；以及，凸块，位于该凸块垫上；

半导体晶粒，安装在该预先凸起的重分布层结构的该第一表面上，其中该半导体晶粒为以其主动面面向该预先凸起的重分布层结构的倒装芯片，其中，该半导体晶粒包括：输入/输出垫，设置在该半导体晶粒的该主动面上，其中该输入/输出垫连接至该预先凸起的重分布层结构的该凸块；以及

导电凸块，安装于该预先凸起的重分布层结构的该第二表面上。

2.如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，该预先凸起的重分布层结构包括：介电层；第一金属层，位于该第一表面上；第二金属层，位于该第二表面上；以及通孔层，穿过该介电层并且电性连接该第一金属层和该第二金属层；其中，该凸块垫位于该第一金属层中。

3.如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，该凸块包括：中间金属层以及焊料层，其中该焊料层直接设置在该中间金属层上。

4.如权利要求3所述的半导体封装，其特征在于，该凸块包括：铜层，该铜层的底端直接接合至该凸块垫的顶面，其中该中间金属层直接设置在该铜层上。

5.如权利要求3所述的半导体封装，其特征在于，该输入/输出垫的顶面为该输入/输出垫自身的铝或铜表面，其中没有金属凸块或金属柱设置在该输入/输出垫的顶面上，并且该输入/输出垫的顶面通过该焊料层接合至该预先凸起的重分布层结构的该凸块上。

6.如权利要求5所述的半导体封装，其特征在于，该半导体晶粒进一步包括：表面处理层，位于该输入/输出垫的顶面上；或者，有机可焊性保护膜，位于该输入/输出垫的顶面上；或者，凸块下金属层，位于该输入/输出垫的顶面上。

7.如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，进一步包括：模塑料，密封该半导体晶粒并且覆盖该预先凸起的重分布层结构的该第一表面。

8.如权利要求3所述的半导体封装，其特征在于，该焊料层的横截面积等于该铜层的横截面积。

9.如权利要求5所述的半导体封装，其特征在于，该半导体晶粒进一步包括：凸块下金属层，位于该输入/输出垫的顶面上；预焊料层，形成于该凸块下金属层上；其中，该预焊料层的横截面积大于该铜层的横截面积。

10.一种预先凸起的重分布层结构，其特征在于，包括：

至少一介电层，具有相对的第一表面和第二表面；

第一金属层，位于该第一表面上；

第二金属层，位于该第二表面上；

通孔层，电性连接该第一金属层和该第二金属层；

至少一个凸块垫，位于该第一金属层中；以及

至少一个凸块，分别位于该至少一个凸块垫上，其中该至少一个凸块用于半导体晶粒接合于其上。

11.如权利要求10所述的预先凸起的重分布层结构，其特征在于，该至少一个凸块之一包括：铜层，底端直接接合至对应的凸块垫的顶面；中间金属层，位于在该铜层上；以及焊料层，直接设置在该中间金属层上。

12.一种半导体封装，其特征在于，包括：

预先凸起的重分布层结构，具有相对的第一和第二表面，其中该预先凸起的重分布层结构包括：至少一个凸块垫，位于该第一表面上；以及，至少一个凸块，分别位于该至少一个凸块垫上；

多个半导体晶粒，安装在该预先凸起的重分布层结构的该第一表面上，其中该多个半导体晶粒均为以其主动面面向该预先凸起的重分布层结构的倒装芯片，其中，在该多个半导体晶粒的每一个的主动面上设置有至少一个输入/输出垫，并且该至少一个输入/输出垫连接至该预先凸起的重分布层结构的至少一个凸块；

模塑料，密封该多个半导体晶粒并且覆盖该预先凸起的重分布层结构的该第一表面；以及

多个导电凸块，安装于该预先凸起的重分布层结构的该第二表面上。

13.如权利要求12所述的半导体封装，其特征在于，该预先凸起的重分布层结构包括：介电层，位于该第一表面上的第一金属层，位于该第二表面上的第二金属层，以及穿过该介电层的并且电性连接该第一金属层和该第二金属层的通孔层，其中该至少一个凸块垫位于该第一金属层中。