[发明专利]表面修饰的量子点及其制备方法、应用与QLED器件

权利要求书

1.一种表面修饰的量子点的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

制备一量子点溶液；

制备一含离子的有机配体前驱物；

将含离子的有机配体前驱物加入量子点溶液中对量子点进行表面修饰，制备得到表面修饰的量子点。

2.根据权利要求1所述的量子点的制备方法，其特征在于，所述量子点溶液中的量子点为II-VI族量子点、III-V族量子点、IV-VI族量子点中的一种或多种。

3.根据权利要求1所述的量子点的制备方法，其特征在于，所述量子点溶液中的量子点的结构为均一的二元组分单核结构、均一的多元合金组分单核结构、多元合金组分渐变单核结构、二元组分分立核壳结构、多元合金组分分立核壳结构、多元合金组分渐变核壳结构中的一种或多种。

4.根据权利要求1所述的量子点的制备方法，其特征在于，所述含离子的有机配体前驱物为一种或多种的含阳离子的有机配体前驱物，所述含阳离子的有机配体前驱物中的阳离子为IIB族阳离子、IIIA族阳离子、IVA族阳离子、IB族阳离子、过渡金属阳离子、稀土金属阳离子中的一种或多种。

5.根据权利要求1所述的表面修饰的量子点的制备方法，其特征在于，所述含离子的有机配体前驱物为一种或多种的含阴离子的有机配体前驱物，所述含阴离子的有机配体前驱物中的阴离子为VIA族阴离子、VA族阴离子、VIIA族阴离子中的一种或多种。

6.根据权利要求1、4、5任意一项所述的表面修饰的量子点的制备方法，其特征在于，所述含离子的有机配体前驱物中的所述有机配体为有机膦类、有机酸类、有机胺类、烷基硫醇中的一种或多种。

7.根据权利要求1至5任意一项所述的表面修饰的量子点的制备方法，其特征在于，将离子前体与有机配体混合进行反应，离子前体中的离子与有机配体结合，制备得到所述含离子的有机配体前驱物。

8.根据权利要求7所述的表面修饰的量子点的制备方法，其特征在于，按所述的离子元素与有机配体的摩尔比为1:0.1至1:10将离子前体与有机配体混合进行反应；和/或所述反应的温度为20-400℃，时间为5分钟至10小时；和/或所述反应的气氛为惰性气氛、空气气氛、真空中的一种。

9.根据权利要求1至5任意一项所述的量子点的制备方法，其特征在于，按所述含离子的有机配体前驱物与量子点的质量比为（0.01-100）:1混合进行表面修饰；和/或加热的温度为10-400℃，时间为5分钟至10小时；和/或表面修饰反应的气氛为惰性气氛、空气气氛、真空中的一种。

10.一种量子点，其特征在于，由权利要求1至9任意一项所述方法制备得到，所述量子点包括量子点核和含离子的有机配体，所述量子点核表面的暴露悬挂键与所述量含离子的有机配体中的离子相结合。

11.根据权利要求10所述的量子点，其特征在于，所述量子点包括量子点核和含阳离子的有机配体，所述量子点核表面的暴露悬挂键与所述量含阳离子的有机配体中的阳离子相结合。

12.根据权利要求10所述的量子点，其特征在于，所述量子点包括量子点核和含阴离子的有机配体，所述量子点核表面的暴露悬挂键与所述量含阴离子的有机配体中的阴离子相结合。

13.一种权利要求10至12任意一项所述量子点的应用，其特征在于，将所述量子点用于制备半导体器件的功能材料。

14.一种QLED器件，包括一对电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层，其特征在于，所述量子点发光层包括权利要求10至12任意一项所述的表面修饰的量子点。