[发明专利]核壳结构量子点及其制备方法及偏振薄膜在审

专利信息
申请号: 201710560645.4 申请日: 2017-07-11
公开(公告)号: CN109233802A 公开(公告)日: 2019-01-18
发明(设计)人: 聂志文;杨一行 申请(专利权)人: TCL集团股份有限公司
主分类号: C09K11/02 分类号: C09K11/02;C09K11/62;G02B5/30
代理公司: 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 代理人: 王永文;刘文求
地址: 516006 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 量子点 混合液 制备 核壳结构 前驱物 偏振薄膜 阳离子单体 阴离子单体 第二配体 第一配体 发光效率 光能吸收 阴阳离子 制备核壳 非辐射 纳米棒 外壳层 线偏振 偏振 无镉 发射 生长 吸收
【权利要求书】:

1.一种核壳结构量子点的制备方法,其特征在于,包括:

将I族阳离子单体、III族阳离子单体、VI族阴离子单体、第一配体以及第一非配位溶剂混合,并在第一预定温度下进行真空除气处理,然后在惰性气氛下升温至第二预定温度,制备含I-III-VI阴阳离子单体前驱物和第一配体的第一混合液;

将II族阳离子单体、第二配体以及第二非配位溶剂混合,并在第一预定温度下进行真空除气处理,然后在惰性气氛下升温至第二预定温度,制备含II阳离子单体前驱物和第二配体的第二混合液;

将VI族阴离子单体以及第三配体混合,并在第一预定温度下进行真空除气处理,制备含VI族阴离子单体前驱物的第三混合液;

在第三预定温度下,向第一混合液中注入所述第二混合液和/或所述第三混合液,并在所述第三预定温度下进行反应,制备得到量子点的核溶液;

在第四预定温度下,向所述量子点的核溶液注入所述第二混合液和所述第三混合液,进行外壳层的生长,经分离、干燥,制备得到所述核壳结构量子点。

2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述I族阳离子单体、III族阳离子单体、VI族阴离子单体、第一配体、第一非配位溶剂的混合摩尔比为1:0.8-1:20-60:1.8-2.8:2-10。

3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述I族阳离子单体为醋酸铜、醋酸亚铜、硝酸铜、硝酸亚铜、氯化铜、氯化亚铜、溴化铜、碘化铜、乙酰丙酮铜,醋酸银、硝酸银中的一种或多种;

和/或所述III族阳离子单体为醋酸铟、氯化铟、乙酰丙酮铟、氯化镓、溴化镓、碘化镓、乙酰丙酮镓中的一种或多种;

和/或所述VI族阴离子单体为正辛硫醇、叔辛硫醇、十二硫醇、叔十二硫醇、单质硫、单质硒中的一种或多种;

和/或所述第一配体为油酸、乙酸、己酸、葵酸、十四烷酸、十六烷酸、十八烷酸、三辛基膦和三丁基膦中的一种或两种;

和/或所述第一非配位溶剂为十八烯、二十烯、石蜡油中的一种或多种。

4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述II族阳离子单体、第二配体、第二非配位溶剂的混合摩尔比为1:0.8-1:20-60:1.8-2.8:2-10。

5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述II族阳离子单体为醋酸锌、硝酸锌、十八酸锌、氯化锌、溴化锌、碘化锌中的一种或多种;

和/或所述第二配体为长链烷基胺;

和/或所述第二非配位溶剂为十八烯、二十烯、石蜡油中的一种或多种。

6.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述VI族阴离子单体为正辛硫醇、叔辛硫醇、十二硫醇、叔十二硫醇、单质硫、单质硒中的一种或多种;

和/或所述第三配体为三辛基膦、三丁基膦、三辛基氧膦、油胺中的一种或多种。

7.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述真空除气处理过程中,用于除水、除氧的第一预定温度为80-120℃;用于前驱物制备的第二预定温度为110-180℃;用于成核的第三预定温度为190-210℃;用与外壳层生长的第四预定温度为220-300℃。

8.一种核壳结构量子点,其特征在于,由权利要求1-7任意一项所述方法制备得到,所述量子点为棒状量子点。

9.根据权利要求8所述的核壳结构量子点,其特征在于,所述量子点为油溶性量子点;

所述量子点的核为I-II-III-VI族的CuInZnS、AgInZnS、CuGaZnS、CuInZnSe或AgInZnSe;

或所述量子点的核为I-III-VI族的CuInS、CuInSe、AgInS、AgInSe、CuGaS、CuGaSe、AgGaS、AgGaSe、CuInGaS、CuGaZnS、CuInGaSe或AgInGaSe;

所述量子点的壳为II-VI族的ZnSe或ZnS。

10.一种偏振薄膜,其特征在于,包括权利要求8-9任意一项所述的核壳量子点。

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