[发明专利]一种熔断器及其制造方法

权利要求书

1.一种多晶硅熔断器，包括多晶硅熔断体和两个引出端口；其特征在于，所述多晶硅熔断体包括一衬底、第一绝缘层和一多晶硅熔体，所述衬底上形成有一凹槽，所述第一绝缘层覆盖在具有凹槽一侧的衬底表面上，所述多晶硅熔体仅形成于凹槽底部的第一绝缘层上且位于所述凹槽内呈埋入式形态；所述多晶硅熔体宽度小于多晶硅熔体长度；其中，所述多晶硅熔体电流流向方向上的间距为多晶硅熔体长度，所述多晶硅熔体顶部与槽底上第一绝缘层的间距为多晶硅熔体高度，与多晶硅熔体长度和多晶硅熔体高度均垂直的间距为多晶硅熔体宽度，通过调节多晶硅熔体宽度来改变多晶硅熔体阻值，控制多晶硅熔体的熔断时间。

2.根据权利要求1所述的多晶硅熔断器，其特征在于，所述凹槽包括凹槽开口、槽壁和与凹槽开口相对的凹槽槽底，所述凹槽开口的宽度大于所述凹槽槽底的宽度。

3.根据权利要求1所述的多晶硅熔断器，其特征在于，所述凹槽包括槽壁和与凹槽开口相对的槽底，位于所述凹槽槽底的第一绝缘层上的所述多晶硅熔体具有绝缘侧壁。

4.根据权利要求1所述的多晶硅熔断器，其特征在于，所述多晶硅熔体位于槽底的第一绝缘层上且与两侧槽壁间隔一定距离。

5.根据权利要求1所述的多晶硅熔断器，其特征在于，所述多晶硅熔体的顶部形成有金属硅化物层。

6.一种根据权利要求1所述的多晶硅熔断器的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤N1：在衬底上进行沟槽刻蚀，形成一凹槽；在具有凹槽一侧的衬底表面形成第一绝缘层；

步骤N2：在覆盖有第一绝缘层的衬底上形成多晶硅熔体膜层；

步骤N3：在多晶硅熔体膜层上形成第二绝缘层；

步骤N4：对第二绝缘层和多晶硅熔体膜层进行显影和刻蚀，仅在凹槽底部的第一绝缘层上形成多晶硅熔体；所述多晶硅熔体宽度小于多晶硅熔体长度；其中，所述多晶硅熔体电流流向方向上的间距为多晶硅熔体长度，所述多晶硅熔体顶部与槽底上第一绝缘层的间距为多晶硅熔体高度，与多晶硅熔体长度和多晶硅熔体高度均垂直的间距为多晶硅熔体宽度，通过调节多晶硅熔体宽度来改变多晶硅熔体阻值，控制多晶硅熔体的熔断时间。

7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，还包括步骤N5包括：通过湿法刻蚀法去除多晶硅熔体上的第二绝缘层。

8.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，还包括步骤N6：在多晶硅熔体两侧形成绝缘侧墙。

9.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，还包括步骤N7：对多晶硅熔体进行自对准硅化物刻蚀，在熔体顶端形成金属硅化物层。