[发明专利]用于MEMS器件的化学机械抛光工艺

权利要求书

1.一种用于MEMS器件的化学机械抛光工艺，其特征在于，包括以下步骤：

S1：提供一待抛光MEMS器件晶圆，所述MEMS器件晶圆包括硅衬底以及淀积在所述硅衬底上的磷硅玻璃；

S2：清洁抛光头、抛光盘，将抛光垫安装于所述抛光头，并将所述待抛光MEMS器件晶圆固定在所述抛光盘上；

S3：对所述MEMS器件晶圆进行粗抛光，其中，抛光压力p1为2.5psi-3.5psi，抛光头的转速v1为90rpm-110rpm,抛光盘的转速v1’为90rpm-110rpm，抛光液流量为200ml/min-300ml/min，抛光时间t1为110s-130s；

S4：对所述MEMS器件晶圆进行高压水抛光，其中，抛光压力p2为0.8psi-1.2psi，抛光头的转速v2为90rpm-110rpm,抛光盘的转速v2’为90rpm-110rpm，抛光时间t2为3s-10s；

S5：循环步骤S3、S4达n次或达到预设时间t；

S6：对所述MEMS器件晶圆进行精抛光，其中，抛光压力p3为1.25psi-1.75psi，抛光头的转速v3为65rpm-75rpm和所述抛光盘的转速v3’为65rpm-75rpm，抛光时间t3为15s-30s；

S7：冲洗抛光盘及晶圆，完成抛光。

2.根据权利要求1所述的用于MEMS器件的化学机械抛光工艺，其特征在于，所述预设时间t为所述MEMS器件晶圆上待抛光的磷硅玻璃厚度与单次粗抛光的去除速率的比值。

3.根据权利要求2所述的用于MEMS器件的化学机械抛光工艺，其特征在于，所述步骤S3、步骤S4的循环次数n为预设时间t与所述抛光时间t1之间的比值。

4.根据权利要求1所述的用于MEMS器件的化学机械抛光工艺，其特征在于，所述步骤S3与所述步骤S6中使用同一种抛光垫，且为硬抛光垫。

5.根据权利要求1所述的用于MEMS器件的化学机械抛光工艺，其特征在于，所述抛光头转速v1与所述抛光盘转速v1’相等。

6.根据权利要求1所述的用于MEMS器件的化学机械抛光工艺，其特征在于，所述抛光头的转速v2与所述抛光盘转速v2’相等。

7.根据权利要求1所述的用于MEMS器件的化学机械抛光工艺，其特征在于，所述步骤S6中的抛光压力p3为所述步骤S3中的抛光压力p1的二分之一。

8.根据权利要求1所述的用于MEMS器件的化学机械抛光工艺，其特征在于，所述抛光液对硅的去除速率是所述抛光液对二氧化硅的去除速率的1.5-1.6倍。

9.根据权利要求1所述的用于MEMS器件的化学机械抛光工艺，其特征在于，所述硅衬底上的硅坑深度为3um-4um,所述磷硅玻璃的淀积厚度为3.5um-4.5um。

10.根据权利要求7所述的用于MEMS器件的化学机械抛光工艺，其特征在于，所述预设时间t为339s-420s。

11.根据权利要求7所述的用于MEMS器件的化学机械抛光工艺，其特征在于，所述步骤S3、S4的循环次数n为3次。