[发明专利]多孔碳化硅陶瓷及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种能够用于制作加工晶圆的真空吸盘的多孔碳化硅陶瓷的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

称取原料，按照质量百分含量计，所述原料包括如下组分：80％～95％的碳化硅、2％～15％的助烧剂和1％～15％的添加剂，其中，所述添加剂选自钛酸铝、锂辉石及锂霞石中的至少一种；

将所述原料混合形成混合料；及

将所述混合料成型形成生坯，再将所述生坯在1300℃～1550℃下烧结，得到多孔碳化硅陶瓷；

所述碳化硅的中位粒径D₅₀为10微米～75微米，所述助烧剂包括氧化铝和二氧化硅。

2.根据权利要求1所述的多孔碳化硅陶瓷的制备方法，其特征在于，所述将所述原料混合形成混合料的步骤为：将分散剂、粘结剂和水混合，形成预混液；将所述原料和所述预混液混合球磨，得到浆料；将所述浆料干燥，得到所述混合料。

3.根据权利要求1所述的多孔碳化硅陶瓷的制备方法，其特征在于，所述将所述混合料成型形成生坯的步骤之前，还包括将所述混合料粉碎，再过80目筛～150目筛的步骤。

4.根据权利要求1所述的多孔碳化硅陶瓷的制备方法，其特征在于，所述将所述生坯在1300℃～1550℃下烧结的步骤为：将所述生坯置于匣钵中，并用石墨和炭粉中的至少一种覆盖在所述生坯，再密封所述匣钵，然后将所述匣钵在1300℃～1550℃下进行烧结。

5.根据权利要求1所述的多孔碳化硅陶瓷的制备方法，其特征在于，所述将所述生坯在1300℃～1550℃下烧结的烧成制度为：以30℃/小时～60℃/小时的速度升温至300℃～600℃，然后以60℃/小时～180℃/小时的速度升温至800℃～1100℃，再以10℃/小时～60℃/小时的速度升温至1300℃～1550℃，并在1300℃～1550℃下保温1小时～4小时。

6.一种如权利要求1～5任意一项所述的多孔碳化硅陶瓷的制备方法制备得到的多孔碳化硅陶瓷。

7.如权利要求6所述的多孔碳化硅陶瓷在晶圆减薄机、晶圆划片机或晶圆清洗机中的应用。