[发明专利]光致抗蚀剂去除装置及方法

说明书

提供一种光致抗蚀剂去除装置，用以去除晶圆的至少一对准标记上的光致抗蚀剂层。装置包括载台、溶剂分配器及抽吸单元。载台用以支撑晶圆，其中于晶圆的周边区形成对准标记。溶剂分配器用以喷洒溶剂至晶圆的对准标记上的光致抗蚀剂层上以产生已溶解光致抗蚀剂层。抽吸单元用以自晶圆上以排出的方式去除已溶解光致抗蚀剂层和溶剂。

技术领域

本发明实施例涉及半导体制程技术，且特别关于用以去除晶圆的对准标记上的光致抗蚀剂层的装置及方法。

背景技术

对准在微影、沉积和其他半导体制程中具有关键性的作用。若未妥善地沉积或未妥善地选择性地移除膜层，则所得半导体装置可能不具功能性而须报废，导致成本的提高。因此，在半导体晶圆上放置对准标记，可确保在沉积和微影制程时的定位适当。

图1是传统晶圆100的示意性俯视图。如图1所示，多IC晶粒均匀地分布于整个晶圆上，且于晶圆100的周边区形成至少一对准标记。

须注意的是，当已有数层金属或其他层沉积于晶圆上时，对准特别具有关键性。特别是如于随后沉积二氧化硅与其他层的例子中，通常需要露出晶圆100上的对准记号104以适当的覆盖二氧化硅或其他层，因用以对这些层图案化或进行其他制程的光致抗蚀剂层可轻易地覆盖或至少模糊对准记号104，造成对准失败。

业界广用的清洁方法是使用棉花棒及丙酮以人工方式从对准记号104移除光致抗蚀剂层。虽然该人工清洁方法可移除对准记号104上的光致抗蚀剂层，但其不可避免地造成晶圆100周边区的晶粒损失。举例来说，如图1所示，于人工移除光致抗蚀剂层时将会完全损失靠近对准记号104的IC晶粒106。因此对产率有负面影响。此外，人工清洁法也耗时且难以控制清洁度及品质。

因此，需要一种可改进上述人工清洁法问题的自动清洁法。

发明内容

本发明实施例提供一种用以去除晶圆的至少一对准标记上的光致抗蚀剂层的装置及方法。该装置及方法可快速且精确地自晶圆的至少一对准标记上移除光致抗蚀剂层，进而降低晶粒损失及制程时间。

提供一种光致抗蚀剂去除装置的实施例，其用以去除一晶圆的至少一对准标记上的光致抗蚀剂层。光致抗蚀剂去除装置包括：载台，用以支撑晶圆，其中对准标记形成于晶圆的周边区；溶剂分配器，用以在晶圆的对准标记上的光致抗蚀剂层上喷洒溶剂，以产生已溶解光致抗蚀剂层；以及抽吸单元，用以自晶圆去除已溶解光致抗蚀剂层及溶剂。

于一些实施例中，溶剂分配器可移向或移离晶圆。

于一些实施例中，光致抗蚀剂去除装置还包括马达，用以驱动溶剂分配器向前及向后，及汽缸，用以驱动溶剂分配器向上及向下。

于一些实施例中，溶剂分配器包括可动臂及连接至可动臂的喷嘴，其中喷嘴配置使喷嘴相对于晶圆的表面是倾斜的，且喷嘴的出口朝向晶圆的边缘。

于一些实施例中，光致抗蚀剂去除装置还包括导管及流量计，导管连接至溶剂分配器，用以供应溶剂，且流量计是提供给导管以测量于导管中的溶剂的流速。

于一些实施例中，抽吸单元可移向或移离晶圆。

于一些实施例中，溶剂分配器及抽吸单元可一起沿着平行于晶圆表面的方向移动。

于一些实施例中，光致抗蚀剂去除装置还包括对准单元，用以通过搜寻晶圆上的定位切口决定晶圆的对准标记的位置，且用以产生位置信号。

于一些实施例中，光致抗蚀剂去除装置还包括驱动机械，连接至载台，且用以驱动载台及晶圆以依据来自对准单元的位置信号进行旋转而使对准标记抵达一位置，于该位置溶剂分配器的出口及抽吸单元的入口靠近且对准对准标记。

于一些实施例中，光致抗蚀剂去除装置还包括排放单元，用以收集自晶圆落下的溶剂。