[发明专利]一种转接板制造方法在审

专利信息
申请号: 201710563645.X 申请日: 2017-07-11
公开(公告)号: CN107293484A 公开(公告)日: 2017-10-24
发明(设计)人: 王磊 申请(专利权)人: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
主分类号: H01L21/311 分类号: H01L21/311;H01L21/768
代理公司: 上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31313 代理人: 张东梅
地址: 214028 江苏省无锡市新区*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 转接 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种用于制造转接板(100)的方法,包括下列步骤:

提供第一载体(101a);

在第一载体(101a)上布置衬底(103);

对衬底(103)进行减薄;

将衬底(103)结构化以形成硅通孔TSV结构(104),其中TSV结构(104)的深度与经减薄的衬底(103)的厚度一致;

在衬底(103)上涂敷绝缘层(105)和阻挡层(106);

在衬底(103)上涂敷导电层(107),使得导电层(107)充满TSV结构(104);

除去TSV结构(104)之外的导电层(107)和阻挡层(106);

在衬底(103)上形成互连线路层和凸点(109);

将衬底(103)以具有TSV结构(104)的面朝下放置在第二载体(101b)上;

除去第一载体(101a);

除去TSV结构(104)的底面上的绝缘层(105)并且在衬底(103)上布置布线层(110);

在衬底(103)上形成互连的凸点(109);以及

除去第二载体(101b)。

2.根据权利要求1所述的方法,其中第一载体(101a)通过临时键合、粘接直接彼此连接或者通过中间层彼此连接。

3.根据权利要求1所述的方法,其中第一载体(101a)通过临时键合、粘接直接彼此连接或者通过中间层彼此连接。

4.根据权利要求1所述的方法,其中阻挡层(106)由TaN、Ta、Ti、TiN、TiSiN、WN或其组合制成。

5.根据权利要求1所述的方法,其中通过铜金属化或者铜电镀来涂敷导电层(107)。

6.根据权利要求1所述的方法,其中在互连线路层与绝缘层(105)之间形成由聚合物、氧化物或氮化物制成的第一介质层(108)。

7.根据权利要求1所述的方法,其中衬底(103)通过中间层与第二载体(101b)连接。

8.根据权利要求1所述的方法,其中通过临时解键合或紫外光照射除去第一载体(101a)。

9.根据权利要求1所述的方法,其中在布线层(110)上形成由聚合物、氧化物或氮化物制成的第二介质层(111)。

10.一种通过根据权利要求1-9之一所述的方法制造的转接板(100)。

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