[发明专利]基于二维材料垂直肖特基结近红外探测器及制备方法

权利要求书

1.一种基于二维材料垂直肖特基结的近红外探测器，其特征在于：

所述的探测器的结构为：带有SiO₂氧化层的P型Si衬底(1)、在SiO₂氧化层制作金底电极(2)，金底电极正上方是通过定点转移的二硫化钼层(3)、在二硫化钼的正上方是ITO的顶电极(4)，并且保证ITO顶电极和金底电极没有接触区域；

所述的P型Si衬底(1)是硼重掺杂，SiO₂氧化层厚度是300nm，电阻率小于0.05Ω·cm；

所述的底电极(2)是Cr和Au，厚度分别是15和50nm，并且金和二硫化钼直接接触；

所述的二硫化钼层(3)的的厚度是50～100nm,长宽分别是20～50um；

所述的顶电极(4)是ITO，厚度是100～200nm。

2.一种制备如权利要求1所述的二维材料垂直肖特基结的近红外探测器的方法，其特征在于方法步骤如下：

1).利用电子束曝光EBL技术，热蒸镀和剥离技术沉积铬和金作为底电极；

2).采用机械剥离的方法将胶带上的二硫化钼转移到PDMS上，然后通过定点转移的设备，在PDMS上挑选合适厚度的样品转移到金底电极的正上方，样品的厚度通过二硫化钼在硅片上的反射光初步确定，最后通过Raman,AFM和SEM来确定材料的微观形貌和准确的厚度；

3).利用电子束曝光EBL技术，磁控溅射和剥离技术在预先转移的二硫化钼的正上方准确定位沉积ITO的顶电极，从而制备成具有垂直肖特基结的MoS₂近红外探测器。