[发明专利]一种沟槽型功率器件及其制作方法

权利要求书

1.一种沟槽型功率器件的制作方法，其特征在于，包括：

在第一N型外延层表面制作氧化层，并在所述氧化层形成注入窗口；

利用所述注入窗口进行P型注入，并在所述第一N型外延层形成P型埋层；

在所述第一N型外延层表面形成第二N型外延层，其中所述第二N型外延层覆盖所述P型埋层；

对所述第二N型外延层进行刻蚀，并在所述P型埋层的内侧和外侧分别形成主结沟槽和场限环沟槽；

对所述沟槽进行P型注入，并在所述沟槽侧壁形成P型注入区域，其中所述主结沟槽和所述场限环沟槽的侧壁的P型注入区域与所述第二N型外延层分别形成所述沟槽型功率器件的主结和场限环；

还包括：

以光刻胶作为掩膜并在所述光刻胶形成沟槽刻蚀窗口，其中所述沟槽刻蚀窗口包括位于所述P型埋层内侧的主结沟槽刻蚀窗口和位于所述P型埋层外侧的多个场限环沟槽刻蚀窗口；

利用干法刻蚀工艺并通过所述沟槽刻蚀窗口对所述第二N型外延层进行刻蚀，从而在所述第二N型外延层形成与所述主结沟槽刻蚀窗口相对应的主结沟槽，以及与所述多个场限环沟槽刻蚀窗口相对应的多个场限环沟槽。

2.根据权利要求1所述的沟槽型功率器件的制作方法，其特征在于，所述在第一N型外延层表面制作氧化层，并在所述氧化层形成注入窗口的步骤包括：

提供一个N型衬底，并在所述N型衬底表面形成第一N型外延层；

对所述第一N型外延层表面进行氧化处理，以在所述第一N型外延层表面制作出氧化层；

利用光刻胶作为掩膜，在所述氧化层刻蚀出所述注入窗口。

3.根据权利要求1所述的沟槽型功率器件的制作方法，其特征在于，在所述第一N型外延层表面形成第二N型外延层的步骤包括：

去除所述第一N型外延层表面的氧化层和光刻胶；

通过外延工艺在所述第一N型外延层表面进一步形成所述第二N型外延层，其中所述第二N型外延层形成之后所述P型埋层位于所述第二N型外延层的下方。

4.根据权利要求1所述的沟槽型功率器件的制作方法，其特征在于，对所述沟槽进行P型注入的步骤包括：

在所述主结沟槽和所述场限环沟槽之后，利用垂直和倾斜注入工艺对所述主结沟槽和所述场限环沟槽分别进行P型注入，从而在所述主结沟槽和所述场限环沟槽的侧壁分别形成P型注入区域。

5.根据权利要求1所述的沟槽型功率器件的制作方法，其特征在于，还包括：

在所述第二N型外延层表面形成介质层，所述介质层填充所述沟槽并使得所述第二N型外延层表面平整。