[发明专利]一种离子注入角度的监控方法

权利要求书

1.一种离子注入角度的监控方法，其特征在于，包括：

在硅衬底形成氧化层；

在所述氧化层表面形成多晶硅层，并对所述多晶硅层进行图案化处理以形成多个相互间隔的多晶硅区域；

在所述多晶硅层表面形成多个绝缘阻挡块，所述多个绝缘阻挡块相互间隔并形成相应的开口来将所述多晶硅区域裸露出来；

通过所述开口并采用一定的角度对各个多晶硅区域进行离子注入处理；

对所述多晶硅区域进行电阻测试，来检测在所述离子注入过程中的离子注入角度是否出现偏差；

所述氧化层为二氧化硅层，其是在800℃～1300℃的生长条件下在所述硅衬底表面生长而成，且所述氧化层的厚度为0.1μm～3.00μm；

所述多晶硅层是在400℃～1000℃的生长条件下在所述氧化层表面生长而成，且所述多晶硅层的厚度为0.01μm～1.00μm；

所述多个相互间隔的多晶硅区域的大小各不相同，且沿预定方向呈逐渐增大的区域；

所述绝缘层的开口大小与所述多晶硅区域的大小相对应；

所述绝缘层的开口大小沿述预定方向呈逐渐增大的区域；

所述绝缘层的多个相互间隔的绝缘阻挡块用于在离子注入时在所述多晶硅区域形成注入盲区，以使至少部分多晶硅区域的有效离子注入面积不同；

还包括：通过退火处理激活注入到所述多晶硅区域的离子。