[发明专利]吡唑并吲唑衍生物及其应用

说明书

本发明公开了一种吡唑并吲唑衍生物，其通式如下式：其中Ar¹选自氢，或者Ar¹与Ar²分别独立选自C₆～C₃₀的取代或非取代的芳基或稠环芳烃基团、C₃～C₃₀的取代或非取代的杂芳基或稠杂环芳烃基团。当Ar¹和Ar²分别独立选自取代的芳基、稠环芳烃基团、杂芳基或稠杂环芳烃基团时，所述其上的取代基团独立选自卤素、氰基、硝基，或选自C₁～C₁₀的烷基或环烷基、烯基、C₁～C₆的烷氧基或硫代烷氧基基团，或者选自Si(R¹)₃，该R¹选自C₁～C₆的烷基。本发明提供的吡唑并吲唑衍生物能够有效降低有机电致发光器件的工作电压，且提高有机电致发光器件的发光效率。

技术领域

本发明属于有机电致发光领域，更具体地说，本发明涉及一种新型的吡唑并吲唑衍生物，还涉及使用了该吡唑并吲唑衍生物的有机电致发光器件。

背景技术

有机电致发光显示器(以下简称OLED)具有自主发光、低电压直流驱动、全固化、视角宽、重量轻、组成和工艺简单等一系列的优点，与液晶显示器相比，有机电致发光显示器不需要背光源，视角大，功率低，其响应速度可达液晶显示器的1000倍，其制造成本却低于同等分辨率的液晶显示器，因此，有机电致发光器件具有广阔的应用前景。

随着OLED技术在照明和显示两大领域的不断推进，人们对于影响OLED器件性能的高效有机材料的研究更加关注，一个效率好寿命长的有机电致发光器件通常是器件结构与各种有机材料的优化搭配的结果。在最常见的OLED器件结构里，通常包括以下种类的有机材料：空穴注入材料、空穴传输材料、电子传输材料，以及各色的发光材料(染料或者掺杂客体材料)和相应的主体材料等。

在电致发光器件中传统使用的电子传输材料是Alq3，但Alq3的电子迁移率比较低(大约在10-6cm2/Vs)。为了提高电发光器件的电子传输性能，研究人员做了大量的探索性研究工作。LG化学在中国的专利说明书中报道了一系列芘的衍生物，在电发光器件中用作电子传输和注入材料，提高了器件的发光效率(公开号CN 101003508A)。曹镛等人合成出FFF-Blm4(J.Am.Chem.Soc.；(Communication)；2008；130(11)；3282-3283)作为电子传输和注入层材料(与Ba/Al和单独用Al作为阴极相比较)，大大地改善了器件的电子注入和传输，提高了电发光效率。柯达公司在美国专利(公开号US 2006/0204784和US 2007/0048545)中，提到混合电子传输层，采用一种低LUMO能级的材料与另一种低起亮电压的电子传输材料和其他材料如金属材料等掺杂而成。

理想的电子传输材料，应该具有以下几方面的特性：具有可逆的电化学还原反应；HOMO和LUMO能级合适；电子迁移率高；成膜性好；Tg高；最好能够阻挡空穴。从化合物结构方面，要求分子含有缺电子结构单元，具有良好的接受电子能力；分子量足够大，保证具有较高的Tg，从而具有良好的热稳定性，同时分子量不能太大，以利于真空蒸镀成膜。

目前已知的电子传输材料性能并不理想，业界仍急需开发新的电子传输材料。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一类新型的用于有机电致发光器件的吡唑并吲唑衍生物，以进一步提高有机电致发光器件的发光性能。

本发明另一个要解决的技术问题是提供一种工作电压低、发光效率高、寿命长的有机电致发光器件。

为解决上述问题，本发明提供的吡唑并吲唑衍生物具有如下通式(I)所示的结构：