[发明专利]一种离子注入层图形套准偏差的检测方法

权利要求书

1.一种离子注入层图形套准偏差的检测方法，其特征在于，包括：

在硅衬底形成氧化层；

在所述氧化层表面形成具有多对多晶硅条的多晶硅层；

在所述多对多晶硅条的基础上分别制作离子注入层光刻图形；

在所述多晶硅层进行离子注入处理；

通过对所述多晶硅条进行电阻测试来检测所述离子注入层光刻图形的套准偏差程度；

在所述氧化层表面形成具有多对多晶硅条的多晶硅层包括：

在所述氧化层表面生长出非掺杂的多晶硅层；

在所述多晶硅层通过光刻工艺刻蚀出多个相互隔离的多晶硅条，其中相邻两条多晶硅条分别作为一对多晶硅条；每一条多晶硅条具有相同的形状和结构，且相邻两个多晶硅条相互平行间隔且相互隔离；每一条多晶硅条的两个端部的宽度大于中间条形主体的宽度，且每一对多晶硅条中的相邻两个多晶硅条之间会形成一个具有一定宽度的凹槽；

每一对多晶硅条所对应的离子注入层光刻图形，从不覆盖所述多晶硅条，到完全覆盖所述多晶硅条的中间条形主体的整体宽度，呈现逐渐变化的趋势；在所述多晶硅层的第一对多晶硅条所对应离子注入层光刻图形未覆盖所述第一对多晶硅条的任意一条多晶硅条；所述多晶硅层的第二对多晶硅条所对应的离子注入层光刻图形少量覆盖所述第二对多晶硅条的任意一条多晶硅条；并且，所述多晶硅层的第三对多晶硅条多对应的离子注入层光刻图形覆盖所述第三对多晶硅条的面积大于所述第二对多晶硅条所对应的离子注入层光刻图形覆盖所述二对多晶硅条的面积。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述离子注入层光刻图形由光刻胶制作而成。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述多晶硅层的最后一对多晶硅条所对应的离子注入层光刻图形完全覆盖所述最后一对多晶硅条的中间条形主体的整体宽度。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述多晶硅条进行电阻测试包括：

确定在未出现光刻图形套准偏差的情况下每一条多晶硅条的参考电阻值；

检测所述多晶硅条的电阻值来确定各个多晶硅条与所述参考电阻值的偏移情况；

根据所述偏移情况计算出所述离子注入层光刻图形的套准偏差程度。