[发明专利]一种基于石墨烯/金属纳米带结构的近红外吸收体在审
申请号: | 201710564787.8 | 申请日: | 2017-07-12 |
公开(公告)号: | CN107436192A | 公开(公告)日: | 2017-12-05 |
发明(设计)人: | 张晓霞;陈浩;姬月华;余力;皮峣迪 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | G01J1/42 | 分类号: | G01J1/42;B82Y20/00 |
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地址: | 610054 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 石墨 金属 纳米 结构 红外 吸收体 | ||
1.一种基于石墨烯/金属纳米带结构的近红外吸收体,基于磁共振原理增强石墨烯对近红外波能量的吸收,通过设计不同的绝缘层厚度、金属纳米带尺寸,可实现对特定波长电磁波的近完美吸收,特征在于它包括基底、石墨烯、金属纳米带阵列,基底包括(1)银基底、(2)绝缘层,石墨烯层包括(Ⅰ)第一石墨烯层、(Ⅱ)第二石墨烯层,其中第一石墨烯层直接位于绝缘层之上、金属纳米带之下,第二石墨烯层设置在金属纳米带之上,即位于结构的上表面。
2.根据权利要求1所述一种基于石墨烯/金属纳米带结构的近红外吸收体,其特征在于基底为银,其厚度为100nm。
3.根据权利要求1所述一种基于石墨烯/金属纳米带结构的近红外吸收体,其特征在于绝缘层为三氧化二铝,厚度为5nm-15nm。
4.根据权利要求1所述一种基于石墨烯/金属纳米带结构的近红外吸收体,其特征在金属纳米带材料为银,银纳米带阵列排列周期180-300nm,空占比控制在0.75-0.9,银纳米带高度为10-30nm。
5.根据权利要求1所述一种基于石墨烯/金属纳米带结构的近红外吸收体,其特征在于双层石墨烯分别位于银纳米带上下。
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