[发明专利]接合装置有效
申请号: | 201710565525.3 | 申请日: | 2017-07-12 |
公开(公告)号: | CN107611058B | 公开(公告)日: | 2023-06-27 |
发明(设计)人: | 稻益寿史 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 接合 装置 | ||
本发明提供一种能够抑制微粒的产生的接合装置。实施方式的一技术方案的接合装置具备上侧保持部、下侧保持部、推压部、以及吸附保持部。上侧保持部从作为非接合面的上表面侧保持第1基板。下侧保持部设置于上侧保持部的下方,使第2基板与第1基板相对而从下表面侧保持第2基板。推压部从上方按压第1基板的中心部而使第1基板的中心部与第2基板接触。吸附保持部设置成相对于上侧保持部升降自如,利用吸附来保持由上侧保持部保持之前的第1基板的上表面的一部分。
技术领域
本发明涉及接合装置。
背景技术
以往,为了满足半导体器件的高集成化的要求,提出了使用将半导体器件3维地层叠的3维集成技术。作为使用了该3维集成技术的系统,公知有将例如半导体晶圆(以下称为“晶圆”)等基板彼此接合的接合系统(参照例如专利文献1)。
在该接合系统中,在对第1基板、第2基板的要接合的表面进行了改性之后使该表面亲水化,之后,在接合装置中,利用范德华力和氢键(分子间力)接合第1基板、第2基板。
不过,在上述的接合装置中,例如上侧保持部从第1基板的作为非接合面的上表面侧在整个面上吸附保持该第1基板。因此,对于向接合装置输送第1基板的输送装置,保持第1基板的作为接合面的下表面侧的周边而向上侧保持部交接。
专利文献1:日本特开2015-18919号公报
发明内容
然而,在上述的接合装置中,是以第1基板的接合面被输送装置保持着的状态进行交接的结构,因此,例如微粒有可能附着于例如第1基板。因而,上述的接合装置在抑制微粒这一点存在进一步改善的余地。
实施方式的一技术方案的目的在于提供一种能够抑制微粒的产生的接合装置。
实施方式的一技术方案的接合装置具备上侧保持部、下侧保持部、推压部、以及吸附保持部。上侧保持部从作为非接合面的上表面侧保持第1基板。下侧保持部设置于所述上侧保持部的下方,使第2基板与所述第1基板相对而从下表面侧保持第2基板。推压部从上方按压所述第1基板的中心部而使所述第1基板的中心部与所述第2基板接触。吸附保持部被设置成相对于所述上侧保持部升降自如,利用吸附来保持由所述上侧保持部保持之前的所述第1基板中的上表面的一部分。
根据实施方式的一技术方案,在接合装置中,能够抑制微粒的产生。
附图说明
图1是表示实施方式的接合系统的结构的示意俯视图。
图2是表示实施方式的接合系统的结构的示意侧视图。
图3是第1基板和第2基板的示意侧视图。
图4是表示位置调节装置的结构的示意侧视图。
图5A是表示翻转用传送部的结构的示意俯视图。
图5B是表示翻转用传送部的结构的示意侧视图。
图6A是表示输送装置的结构的示意俯视图。
图6B是表示输送装置的结构的示意侧视图。
图7是表示基板调温装置的结构的示意侧视图。
图8是表示接合装置的结构的示意俯视图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造