[发明专利]有机电致发光器件及有机电致发光显示面板在审
申请号: | 201710565617.1 | 申请日: | 2017-07-12 |
公开(公告)号: | CN107316946A | 公开(公告)日: | 2017-11-03 |
发明(设计)人: | 王湘成;滨田;牛晶华;华万鸣 | 申请(专利权)人: | 上海天马有机发光显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54 |
代理公司: | 北京晟睿智杰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)11603 | 代理人: | 于淼 |
地址: | 201201 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 电致发光 器件 显示 面板 | ||
技术领域
本申请涉及显示领域,具体涉及一种有机电致发光器件及有机电致发光显示面板。
背景技术
有机电致发光器件(Organic Light-Emitting Diode,OLED)又称为有机发光半导体已经被广泛用于显示领域。采用OLED器件的显示装置具有自发光、广视角、对比度高、耗电低、反应速度快等优点。
但是现有技术中,OLED的空穴迁移率较大,导致显示面板中相互邻近的子像素之间电流串扰现象严重。进而造成本应处于暗态的子像素发光导致显示面板的色彩偏差和色域缩小,影响显示效果。同时,较大的空穴迁移率也会引起显示面板的能耗增加,引起偏色的问题。
发明内容
本申请的目的在于提出一种改进的有机电致发光器件及有机电致发光显示面板,来解决以上背景技术部分提到的技术问题。
第一方面,本申请实施例提供了一种有机电致发光器件,包括:空穴注入层,空穴注入层含有P型掺杂物及其基质材料,其中,基质材料具有式I所示的化学结构,R1-R36为H或烷基;
在一些实施例中,P型掺杂物包括无机氧化物半导体或有机物半导体。
在一些实施例中,P型掺杂物包括无机氧化物半导体和有机物半导体的混合物。
在一些实施例中,无机氧化物半导体包括以下至少一种:MoO3、V2O5、WO3、ZnO,有机物半导体包括以下至少一种:TCNQ、F4-TCNQ、轴烯化合物、上述材料的聚合物和上述材料的衍生物。
在一些实施例中,P型掺杂物包括以下至少一种:MoO3、V2O5、WO3、ZnO。
在一些实施例中,P型掺杂物为MoO3。
在一些实施例中,R1-R36为H。
在一些实施例中,基质材料中全部掺杂或部分掺杂有P型掺杂物。
在一些实施例中,P型掺杂物在基质材料中的掺杂体积比为4%-25%。
在一些实施例中,P型掺杂物在基质材料中的掺杂体积比为5%-20%。
在一些实施例中,还包括:电子阻挡层,电子阻挡层含有P型掺杂物及其基质材料,其中,基质材料具有式I所示的化学结构,R1-R36是H或烷基。
在一些实施例中,有机电致发光器件为有机发光二极管器件、有机场效应晶体管器件或者有机光伏器件。
第二方面,本申请实施例提供了一种有机电致发光显示面板,包括阵列排布的如上述任意一种有机电致发光器件。
本申请提供的有机电致发光器件,能够降低空穴的注入能垒,同时降低空穴的迁移率,有利于减弱电流串扰现象。并且,本申请的有机电致显示面板能够减少色彩偏差和色域缩小的现象。
附图说明
通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述,本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显:
图1是本申请实施例提供的有机电致发光器件的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本申请作进一步的详细说明。可以理解的是,此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关发明,而非对该发明的限定。另外还需要说明的是,为了便于描述,附图中仅示出了与有关发明相关的部分。
需要说明的是,在不冲突的情况下,本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。
在本申请的实施例中,提供了一种有机电致发光器件,包括:空穴注入层,空穴注入层含有P型掺杂物及其基质材料,其中,基质材料具有式I所示的化学结构,R1-R36是H或烷基;
将本实施例提供的化合物(如式I)用在有机电致发光器件的空穴注入层,能够降低空穴的注入能垒,同时降低空穴的迁移率,有利于削弱电流串扰现象。
在本申请的实施例中,P型掺杂物可以包括无机氧化物半导体或有机物半导体。在本实施例中,式I的表示的化合物搭配无机氧化物半导体和有机物半导体中的任意一种,能够降低空穴的注入能垒,同时降低空穴迁移率,有利于减弱电流的串扰现象。
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