[发明专利]一种光学邻近修正方法

权利要求书

1.一种光学邻近修正方法，其特征在于，包括：

提供经过至少一次光学邻近修正后的切割层图形，所述切割层图形位于掩模版上，所述切割层图形用于转印至半导体衬底上以形成掩膜图形，进而以所述掩膜图形为掩模对半导体器件中的待切割结构进行切割；

对所述切割层图形进行光学模拟，以获得模拟轮廓，其中，所述模拟轮廓包括关键边缘和非关键边缘，所述掩膜图形的轮廓中与所述待切割结构相交的边缘对应所述模拟轮廓的所述关键边缘，所述掩膜图形的轮廓中与所述待切割结构不相交的边缘对应所述模拟轮廓的所述非关键边缘；

将所述模拟轮廓和目标轮廓进行比较，分别获得所述关键边缘的边缘放置误差和所述非关键边缘的边缘放置误差；

计算成本函数，所述成本函数为所述关键边缘的边缘放置误差的加权平方和，以及所述非关键边缘的边缘放置误差的加权平方和之和，其中，所述关键边缘的边缘放置误差的权重大于所述非关键边缘的边缘放置误差的权重；

判断所述成本函数是否超出标准范围，若超出则继续对所述切割层图形进行光学邻近修正，直到所述成本函数在标准范围内，若在标准范围内则光学邻近修正终止。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体器件包括FinFET器件，所述待切割结构包括形成在所述FinFET器件上的鳍片结构，以所述掩膜图形为掩模沿与所述鳍片结构的长度延伸方向垂直的方向对所述鳍片结构进行切割；

所述掩膜图形的轮廓中与所述鳍片结构的长度延伸方向垂直的边缘对应所述模拟轮廓的所述关键边缘，与所述鳍片结构的长度延伸方向平行的边缘对应所述模拟轮廓的所述非关键边缘。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，将所述关键边缘和所述非关键边缘分别分割为多个片段，将所述模拟轮廓和所述目标轮廓的每个对应的所述片段进行比较，以获得每个所述片段的边缘放置误差。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述关键边缘的边缘放置误差的加权平方和包括所述关键边缘的每个片段的边缘放置误差的加权平方和，所述非关键边缘的边缘放置误差的加权平方和包括所述非关键边缘的每个片段的边缘放置误差的加权平方和。

5.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述关键边缘的所述片段的数目与所述非关键边缘的所述片段的数目相同，所述关键边缘的所述片段均匀间隔分布，所述非关键边缘的所述片段均匀间隔分布。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述关键边缘的边缘放置误差的权重是所述非关键边缘的边缘放置误差的权重的3倍～20倍。

7.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述成本函数的方程式为：

EPE_c,i＝T_c,i-S_c,i

EPE_p,i＝T_p,i-S_p,i

MSE＝w_c∑_iEPE_c,i²+w_p∑_iEPE_p,i²

其中，EPE_c,i表示关键边缘的任一片段的边缘放置误差，T_c,i表示目标轮廓中的关键边缘的一片段位置，S_c,i表示模拟轮廓中的关键边缘的对应片段的位置，EPE_p,i表示非关键边缘的任一片段的边缘放置误差，T_p,i表示目标轮廓中的非关键边缘的一片段位置，S_p,i表示模拟轮廓中的非关键边缘的对应片段的位置，MSE表示均方误差，w_c表示关键边缘的边缘放置误差的权重，w_p表示非关键边缘的边缘放置误差的权重。