[发明专利]一种单面发光的LED器件及封装方法

权利要求书

1.一种单面发光的LED器件，其特征在于，所述器件包括PCB板和沿远离所述PCB板方向顺次设置的发光芯片、荧光胶层和顶面封装胶层，所述发光芯片、荧光胶层和顶面封装胶层形成发光组件，所述发光组件侧面设置有侧面密封胶层。

2.根据权利要求1所述的单面发光的LED器件，其特征在于，所述荧光胶层由沿远离所述发光芯片顺次设置的第一荧光粉层、第二荧光粉层和填充于荧光粉中的封装胶水组成，所述第一荧光粉层的发射光波长范围为500-680nm，所述第二荧光粉层的发射光波长范围为500-680nm。

3.一种如权利要求1或2所述的单面发光的LED器件的封装方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1、在基板表面贴覆胶膜层，采用物理气相沉积法在胶膜层表面沉积第一荧光粉层；

S2、在第一荧光粉层表面物理气相沉积第二荧光粉层；

S3、在第二荧光粉层表面填充第一封装胶水，得到荧光胶层，所述第一封装胶水的折射率不小于1.50；

S4、烘烤步骤S3得到的半成品至封装胶水固化，得到固化的荧光胶层；

S5、在所述荧光胶层表面涂覆第二封装胶水，并烘烤固化第二封装胶水，得到顶面封装胶层，所述顶面封装胶层与荧光胶层组成荧光膜，所述第二封装胶水的折射率不小于1.40；

S6、去除所述胶膜层，将荧光膜与基板分离；

S7、在基板表面贴覆胶膜层，将荧光膜倒置贴覆于所述胶膜层，使第一荧光粉层位于顶面；

S8、在第一荧光粉层表面粘结LED芯片，并烘烤使LED芯片固定。

4.根据权利要求3所述的单面发光的LED器件封装方法，其特征在于，所述步骤S8后还包括：

S9、切割步骤S8得到的半成品，得到单颗LED；

S10、将单颗LED粘结于PCB板并在LED周围填充密封胶水，得到侧面封装胶层，所述密封胶水的反射率不低于75％；

S11、去除LED芯片顶部的密封胶水，沿PCB板上两颗相邻的LED间隙进行切割，得到单面发光的LED器件。

5.根据权利要求4所述的单面发光的LED器件封装方法，其特征在于，所述物理气相沉积形成荧光粉层的工艺参数为：腔室压力100-1000Pa，功率100-500瓦；所述第一荧光粉层的沉积时间为0.5-20min，所述第二荧光粉层的沉积时间为0.5-35min。

6.根据权利要求5所述的单面发光的LED器件封装方法，其特征在于，所述步骤S4中的烘烤过程为：首先以1-10℃/min的升温速率将所述半成品由室温升至40-60℃，保温0.5-2h，然后以1-10℃/min的升温速率升温至65-90℃，保温0.5-4h，最后以1-10℃/min的升温速率升温至120-200℃，保温1-12h。

7.根据权利要求6所述的单面发光的LED器件封装方法，其特征在于，所述步骤S5中所述烘烤固化的过程为：首先以1-10℃/min的升温速率将涂覆有第二封装胶水的半成品由常温升至50-80℃，保温1-3h，然后以1-10℃/min的升温速率升温至100-200℃，保温1-9h。

8.根据权利要求7所述的单面发光的LED器件封装方法，其特征在于，所述步骤S2后还包括重复步骤S2，制备若干层荧光粉层的步骤。

9.根据权利要求8所述的单面发光的LED器件封装方法，其特征在于，所述荧光膜的厚度为100-400μm。

10.根据权利要求9所述的单面发光的LED器件封装方法，其特征在于，所述荧光粉为硅酸盐、铝酸盐、氟化物、磷酸盐、氮化物或硫化物荧光粉，所述LED芯片的发射光波长为230-480nm；所述步骤S8中烘烤的温度为120-180℃。