[发明专利]显示面板及制作方法在审
申请号: | 201710566534.4 | 申请日: | 2017-07-12 |
公开(公告)号: | CN107393944A | 公开(公告)日: | 2017-11-24 |
发明(设计)人: | 李松杉 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56;H01L21/77 |
代理公司: | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司44304 | 代理人: | 孙伟峰,顾楠楠 |
地址: | 430070 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 制作方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种显示面板技术,特别是一种显示面板及制作方法。
背景技术
在传统的OLED(有机发光二极管)面板的制作过程中,在完成Oxide TFT backplane(氧化物薄膜电晶体管背板)后依次制作彩色滤光膜(Colour Filter、R、G、B色阻)以及阳极,然后蒸镀OLED有机发光材料形成有机发光层,再蒸镀阴极并封装。但是要让显示面板正常显示,还需要在氧化物薄膜电晶体管背板背离彩色滤光膜的一侧表面上还需要设置一块偏光片(polarizer),这样会使制作工艺流程复杂,制造成本高,而且会使显示面板的厚度加厚。
发明内容
为克服现有技术的不足,本发明提供一种显示面板及制作方法,从而简化工艺流程、降低制造成本以及减小显示面板的厚度。
本发明提供了一种显示面板,包括彩色滤光膜,所述彩色滤光膜包括一入光面以及与之相对的出光面,在彩色滤光膜的入光面上设有承载有氧化物薄膜电晶体管的背板,背板上承载有氧化物薄膜电晶体管的一侧表面从下至上依次设有阳极、有机发光层以及阴极。
进一步地,所述彩色滤光膜包括黑色矩阵以及设于黑色矩阵网格中的RGB色阻。
进一步地,所述阴极上设有封装层。
进一步地,所述封装层的制作材料为SiNx或SiOx。
本发明还提供了一种显示面板的制作方法,包括如下步骤:
步骤S01、制作彩色滤光膜,所述彩色滤光膜包括一入光面和与之相对的出光面;
步骤S02、在彩色滤光膜的入光面上制作基板,在基板背离彩色滤光膜的一侧表面上制作氧化物薄膜电晶体管;
步骤S03、在基板承载有氧化物薄膜电晶体管的一侧表面制作阳电极并图形化形成阳极;
步骤S04、在阳极上制作有机发光层;
步骤S05、在有机发光层上制作阴电极形成阴极;
步骤S06、在阴极上制作封装层进行封装,得到显示面板。
进一步地,所述步骤S01制作彩色滤光膜包括:
步骤S11、制作黑色矩阵;
步骤S12、在黑色矩阵中制作RGB色阻。
进一步地,所述步骤S04在阳极上制作有机发光层包括在阳极上通过蒸镀工艺制作有机发光层。
进一步地,所述步骤S05在有机发光层上制作阴极包括通过蒸镀工艺制作阴极。
进一步地,所述阴极的制作材料为金属铝。
进一步地,所述封装层的制作材料为SiNx或SiOx。
本发明与现有技术相比,通过在彩色滤光膜的入光面上制作背板并在背板上依次设置阳极、有机发光层、阴极并进行封装,从而简化工艺流程,降低制造成本,而且由于去掉了偏光片,使显示面板的厚度进一步减小。
附图说明
图1是本发明制作彩色滤光膜的示意图;
图2是本发明在彩色滤光膜上制作背板以及阳极的示意图;
图3是本发明的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步详细说明。
如图3所示,本发明的一种显示面板,具体为OLED(有机发光二极管)显示面板,其包括彩色滤光膜2,彩色滤光膜2包括一入光面以及与之相对的出光面,在彩色滤光膜2的入光面上设有承载有氧化物薄膜电晶体管的背板(Oxide TFT backplane、氧化物阵列基板)1,背板1上承载有氧化物薄膜电晶体管的一侧表面从下至上依次设有阳极3、有机发光层4以及阴极5,在阴极5上设有封装层8对显示面板进行封装。本发明通过将背板1直接制作在彩色滤光膜2上,从而简化了工艺流程,这样能够节省制作成本,由于无需制作偏光片,使显示面板的厚度进一步降低。
作为本发明的一种实施方式,承载有氧化物薄膜电晶体管的背板采用现有技术的氧化物阵列基板结构,在此不再赘述,但本发明也不限于此,例如采用现有的一般阵列基板作为本发明的背板。
作为本发明的一种实施方式,彩色滤光膜2包括黑色矩阵6以及设于黑色矩阵6网格中的RGB色阻7,通过黑色矩阵6替代偏光片的作用,使显示面板能够正常的显示,进一步减低制造成本。
本发明中,阴极5的制作材料为金属铝(Al),厚度为200nm;封装层8的制作材料为SiNx或SiOx材料;阳极3的制作材料为透明ITO(氧化铟锡)材料。
本发明中有机发光层4包括空穴传输层(HTL)、发光层(EL)与电子传输层(ETL),值得注意的是有机发光层4为现有技术,在此不做具体限定。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的