[发明专利]半导体元件与其制造方法在审
| 申请号： | 201710566809.4 | 申请日： | 2017-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN109256424A | 公开（公告）日： | 2019-01-22 |
| 发明（设计）人： | 许修文;叶俊瑩;罗振达;李元铭 | 申请（专利权）人： | 帅群微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/40;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新北*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 第三介电层 磊晶层 沟渠 半导体元件 介电层 屏蔽层 崩溃电压 导通电阻 制造成本 形成体 基板 移除 源极 制造 覆盖 | ||
1.一种半导体元件的制造方法，其特征在于，包含：
形成一磊晶层于一基板上；
形成一体区于该磊晶层的上半部分；
形成一第一沟渠于该磊晶层中；
依序形成一第一介电层、一第二介电层以及一第三介电层于该磊晶层上，其中该第三介电层形成一第二沟渠，该第二沟渠位于该第一沟渠中；
形成一屏蔽层于该第二沟渠中；
移除该第三介电层的一上半部分，以使该屏蔽层的一上半部分凸出于该第三介电层；
形成一第四介电层覆盖于该屏蔽层的该上半部分；
形成一栅极于该第三介电层上；以及
形成一源极于位于该栅极的四周的该磊晶层中。
2.根据权利要求1所述半导体元件的制造方法，其特征在于，该第四介电层为藉由热氧化该屏蔽层而形成。
3.根据权利要求1所述半导体元件的制造方法，其特征在于，该屏蔽层的顶面高度在该体区的顶面高度与底面的高度之间。
4.根据权利要求1所述半导体元件的制造方法，其特征在于，形成该栅极于该第三介电层的步骤前，更包括移除该第二介电层的上半部分。
5.根据权利要求1所述半导体元件的制造方法，其特征在于，该第四介电层的顶面设置高度大于该磊晶层的顶面设置高度。
6.一种半导体元件，其特征在于，包含：
一基板；
一磊晶层，位于该基板上；
一体区，位于该磊晶层的上半部分中；
一第三介电层，设置于该磊晶层的一第一沟渠中，并形成一第二沟渠；
一屏蔽层，具有一上半部分与一下半部分，其中该下半部分设置于该第二沟渠内，该上半部分凸出于该第三介电层；
一第四介电层，覆盖该屏蔽层的该上半部分；
一栅极，设置于该磊晶层中与该第三介电层上，其中至少部分该第四介电层设置于该屏蔽层的该上半部分与该栅极之间；以及
一源极，设置于位于该栅极的四周的该磊晶层中。
7.根据权利要求6所述的半导体元件，其特征在于，至少部分该栅极位于该屏蔽层的该上半部分的上方。
8.根据权利要求6所述的半导体元件，其特征在于，更包含：
一第一介电层，设置于该磊晶层与该第三介电层之间，其中该第一介电层的材质为二氧化硅；以及
一第二介电层，设置于该第一介电层与该第三介电层之间，其中该第二介电层的材质为氮化硅。
9.根据权利要求6所述的半导体元件，其特征在于，该第三介电层的材质为四乙氧基硅烷，该第四介电层藉由热氧化该屏蔽层形成。
10.根据权利要求6所述的半导体元件，其特征在于，该屏蔽层的顶面高度在体区的顶面高度与底面的高度之间。
11.根据权利要求6所述的半导体元件，其特征在于，该第四介电层的设置高度大于磊晶层的顶面的设置高度。
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