[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

在衬底上方形成非易失性存储器的第一堆叠结构和第二堆叠结构；

在所述第一堆叠结构和所述第二堆叠结构上方形成导电材料层；

在所述导电材料层上方形成平坦化层；

在所述平坦化层上方形成掩模图案；

通过使用所述掩模图案作为蚀刻掩模图案化所述平坦化层；以及

通过将经过图案化的所述平坦化层作为蚀刻掩模来图案化所述导电材料层，从而形成介于所述第一堆叠结构和所述第二堆叠结构之间的擦除栅极线并且形成第一字线和第二字线，使得顺序布置所述第一字线、所述第一堆叠结构、所述擦除栅极线、所述第二堆叠结构和所述第二字线，

其中，所述第一字线和所述第二字线中的至少一个的上表面包括第一基部、第二基部和突出于所述第一基部、所述第二基部且位于所述第一基部和所述第二基部之间的突起，所述突起从所述衬底处测得的最高点高于所述第一基部和所述第二基部从所述衬底处测得的高度，并且所述第二基部的顶面位于所述突起的最高点和所述第一基部的顶面之间。

2.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中，自上而下观看时，形成的所述掩模图案没有与所述第一堆叠结构和所述第二堆叠结构重合。

3.根据权利要求2所述的制造半导体器件的方法，其中，所述第一堆叠结构和所述第二堆叠结构以及所述掩模图案在第一方向上延伸并且被布置为互相平行。

4.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中，

所述掩模图案包括第一掩模图案和第二掩模图案，以及

在将形成所述第一字线的区域之上形成所述第一掩模图案，以及

在将形成所述第二字线的区域之上形成所述第二掩模图案。

5.根据权利要求4所述的制造半导体器件的方法，其中，没有掩模图案形成在所述第一堆叠结构和所述第二堆叠结构之间的区域之上，其中，所述擦除栅极线将形成在所述区域之上。

6.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中，

所述突起自所述衬底的高度高于所述擦除栅极线自所述衬底的高度。

7.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中，

所述第一堆叠结构和所述第二堆叠结构中每一个包括自衬底顺序堆叠的第一绝缘层、浮置栅极、第二绝缘层、控制栅极和第三绝缘层；以及

所述第二绝缘层包括氧化硅-氮化硅-氧化硅膜。

8.根据权利要求7所述的制造半导体器件的方法，其中，

所述突起自所述衬底的高度高于所述第三绝缘层自所述衬底的高度。

9.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中，

所述平坦化层包括底层和上层，以及

所述底层被形成为覆盖所述导电材料层。

10.根据权利要求9所述的制造半导体器件的方法，其中，所述底层包括介电材料，该介电材料包括硅、氧和碳。