[发明专利]基板输送装置和接合系统有效
申请号: | 201710567005.6 | 申请日: | 2017-07-12 |
公开(公告)号: | CN107611061B | 公开(公告)日: | 2023-06-09 |
发明(设计)人: | 松永正隆;增永隆宏;古贺隆司;岩下泰治;香月信吾;海付将彰;石丸和俊;坂田文雄 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 输送 装置 接合 系统 | ||
本发明提供一种能够缩短接合装置中的基板的接合处理时间的基板输送装置和接合系统。实施方式的一形态的基板输送装置向用于将第1基板和第2基板接合的接合装置输送第1基板和第2基板。另外,基板输送装置具备第1保持部和第2保持部。第1保持部从上表面侧保持将要接合的表面作为下表面的第1基板。第2保持部设置于第1保持部的下方,使将要接合的表面作为上表面的第2基板与第1基板相对而从下表面侧保持该第2基板。
技术领域
本发明涉及基板输送装置和接合系统。
背景技术
以往,为了满足半导体器件的高集成化的要求,提出了使用将半导体器件3维地层叠的3维集成技术。作为使用了该3维集成技术的系统,公知有将例如半导体晶圆(以下称为“晶圆”)等基板彼此接合的接合系统(参照例如专利文献1)。
该接合系统具备:表面改性装置,其对第1基板、第2基板的要接合的表面进行改性;亲水化装置,其对改性后的第1基板、第2基板进行亲水化;接合装置,其利用范德华力和氢键(分子间力)将亲水化后的第1基板、第2基板接合。另外,接合系统也具备在各装置间输送第1基板、第2基板的基板输送装置。
专利文献1:日本特开2015-18919号公报
发明内容
然而,在上述的接合系统中,基板输送装置以将要接合的表面作为上表面的状态将第1基板、第2基板向接合装置输送。并且,接合装置使输送来的第1基板翻转,使要接合的表面成为下表面而使其与第2基板相对后,进行了接合处理。
因此,在接合装置中,需要使基板翻转的处理时间,上述的接合系统在缩短接合装置中的基板的接合处理时间这一点存在进一步改善的余地。
实施方式的一形态的目的在于提供一种能够缩短接合装置中的基板的接合处理时间的基板输送装置和接合系统。
实施方式的一形态的基板输送装置向用于接合第1基板和第2基板的接合装置输送所述第1基板和所述第2基板。另外,基板输送装置具备第1保持部和第2保持部。第1保持部从上表面侧保持将要接合的表面作为下表面的所述第1基板。第2保持部设置于所述第1保持部的下方,使将要接合的表面作为上表面的所述第2基板与所述第1基板相对而从下表面侧保持所述第2基板。
根据实施方式的一形态,能够缩短接合装置中的基板的接合处理时间。
附图说明
图1是表示第1实施方式的接合系统的结构的示意俯视图。
图2是表示第1实施方式的接合系统的结构的示意侧视图。
图3是第1基板和第2基板的示意侧视图。
图4是表示位置调节装置的结构的示意侧视图。
图5A是表示翻转用传送部的结构的示意俯视图。
图5B是表示翻转用传送部的结构的示意侧视图。
图6A是表示输送装置的结构的示意俯视图。
图6B是表示输送装置的结构的示意侧视图。
图7是表示基板调温装置的结构的示意侧视图。
图8是表示接合装置的结构的示意俯视图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造